參數(shù)資料
型號： SUP60N10-16L
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 100-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET
中文描述： N溝道100 -五（副）175度Celcious MOSFET的
文件頁數(shù)： 5/5頁
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代理商： SUP60N10-16L
SUP60N10-16L
Vishay Siliconix
Document Number: 71928
S-03600—Rev. B, 31-Mar-03
www.vishay.com
5
THERMAL RATINGS
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
25
50
75
100
125
150
175
Safe Operating Area
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
1000
10
0.1
1
10
1000
Limited
by r
DS(on)
0.1
100
T
= 25 C
Single Pulse
Maximum Avalanche and Drain Current
vs. Case Temperature
T
C
- Ambient Temperature ( C)
-
I
D
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Square Wave Pulse Duration (sec)
2
1
0.1
0.01
10
-3
10
-2
10
-1
1
N
T
10
0.2
0.1
Duty Cycle = 0.5
-
I
D
1 ms
10 ms
100 ms
dc
10 s
100 s
1
100
10
-4
Single Pulse
0.05
0.02
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PDF描述
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參數(shù)描述
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SUP60N10-18P-E3 功能描述:MOSFET 100V 60A 150W 18.3mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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