參數(shù)資料
型號： SUP60N10-16L
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 100-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET
中文描述： N溝道100 -五（副）175度Celcious MOSFET的
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 41K
代理商： SUP60N10-16L
FEATURES
TrenchFET Power MOSFET
175 C Junction Temperature
PWM Optimized
APPLICATIONS
DC/DC Primary Side Switch
SUP60N10-16L
Vishay Siliconix
Document Number: 71928
S-03600—Rev. B, 31-Mar-03
www.vishay.com
1
N-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
(BR)DSS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
100
0.016 @ V
GS
= 10 V
0.018 @ V
GS
= 4.5 V
60
56
D
G
S
N-Channel MOSFET
TO-220AB
Top View
SUP60N10-16L
G D S
DRAIN connected to TAB
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
100
Gate-Source Voltage
V
GS
20
V
Continuous Drain Current
(T
J
= 175 C)
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
I
D
60
35
A
Pulsed Drain Current
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
stg
100
Avalanche Current
40
Repetitive Avalanche Energy
a
L = 0.1 mH
80
mJ
Maximum Power Dissipation
a
T
C
= 25 C
150
b
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
-55 to 175
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Junction-to-Ambient (Free Air)
R
thJA
62.5
C/W
Junction-to-Case
R
thJC
1.0
Notes
a.
b.
c.
Duty cycle
See SOA curve for voltage derating.
When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).
1%.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SUP65P04-15 P-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET
SUB65P04-15 P-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET
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SUP75N03-04 N-Channel 30-V (D-S), 175C MOSFET
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參數(shù)描述
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SUP60N10-18P-E3 功能描述:MOSFET 100V 60A 150W 18.3mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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SUP65P04-15-E3 功能描述:MOSFET 40V 65A 120W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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