參數(shù)資料
型號(hào)： SUD30N03-30
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 30-V (D-S), 175 DegreeCelcious MOSFET
中文描述： N溝道30 V的（副），175 DegreeCelcious MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 65K
代理商： SUD30N03-30
SUD30N03-30
Vishay Siliconix
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-4
Document Number: 70268
S-57253—Rev. D, 24-Feb-98
On-Resistance vs. Junction Temperature
Source-Drain Diode Forward Voltage
(
–
r
D
T
J
– Junction Temperature ( C)
V
SD
– Source-to-Drain Voltage (V)
–
I
S
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
100
10
1
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
GS
= 10 V
I
D
T
J
= 25 C
T
J
= 175 C
0
Safe Operating Area
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
–
I
D
200
10
0.1
0.1
1
10
100
1
100
T
= 25 C
Single Pulse
1 ms
10 ms
100 ms
dc
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Square Wave Pulse Duration (sec)
2
1
0.1
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
N
T
Maximum Drain Current vs. CaseTemperature
T
C
– Case Temperature ( C)
–
I
D
0
7
14
21
28
35
0
25
50
75
100
125
150
175
0.2
0.1
Duty Cycle = 0.5
3
0.02
0.05
Single Pulse
Limited
by r
DS(on)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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SUD30N03-30-E3 功能描述:MOSFET 30V 30A 50W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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SUD30N04-10-E3 功能描述:MOSFET 40V 30A 97W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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