參數(shù)資料
型號(hào)： SUD30N03-30
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 30-V (D-S), 175 DegreeCelcious MOSFET
中文描述： N溝道30 V的（副），175 DegreeCelcious MOSFET的
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 65K
代理商： SUD30N03-30
SUD30N03-30
Vishay Siliconix
Document Number: 70268
S-57253—Rev. D, 24-Feb-98
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-1
N-Channel 30-V (D-S), 175 C MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
30
0.030 @ V
GS
= 10 V
30
0.045 @ V
GS
= 4.5 V
25
D
G
S
N-Channel MOSFET
TO-252
S
G
D
Top View
Drain Connected to Tab
Order Number:
SUD30N03-30
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
30
V
Gate-Source Voltage
V
GS
20
Continuous Drain Current
(T
J
= 175 C)
T
C
= 25 C
T
C
= 100 C
I
D
30
A
21
Pulsed Drain Current
I
DM
I
S
40
Continuous Source Current (Diode Conduction)
30
Maximum Power Dissipation
T
C
= 25 C
T
A
= 25 C
P
D
50
3
a
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 175
C
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
R
thJA
50
C/W
Maximum Junction-to-Case
R
thJC
3.0
Notes
a.
Surface Mounted on 4” x 4” FR4 Board.
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
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PDF描述
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參數(shù)描述
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SUD30N04-10-E3 功能描述:MOSFET 40V 30A 97W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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