參數(shù)資料
型號： SUD30N03-30
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 30-V (D-S), 175 DegreeCelcious MOSFET
中文描述： N溝道30 V的（副），175 DegreeCelcious MOSFET的
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 65K
代理商： SUD30N03-30
SUD30N03-30
Vishay Siliconix
Document Number: 70268
S-57253—Rev. D, 24-Feb-98
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-3
0
6
12
18
24
30
0
8
16
24
32
40
0
300
600
900
1200
1500
0
6
12
18
24
30
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Capacitance
Gate Charge
Transconductance
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
–
I
D
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
D
–
–
r
D
Q
g
– Total Gate Charge (nC)
I
D
– Drain Current (A)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
–
g
f
0
8
16
24
32
40
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
0
3
6
9
12
15
18
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0
8
16
24
32
40
0
8
16
24
32
40
0
1
2
3
4
5
6
25 C
–55 C
T
C
= 150 C
V
DS
= 15 V
I
D
= 30 A
V
GS
= 10, 9, 8, 7, 6, 5 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
C
rss
T
C
= –55 C
25 C
125 C
3 V
4 V
C
oss
C
iss
I
D
– Drain Current (A)
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PDF描述
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SUD30N04-10-E3 功能描述:MOSFET 40V 30A 97W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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