型號: | STW25NM60N |
廠商: | 意法半導體 |
英文描述: | N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET |
中文描述: | N溝道600V的0.140 - 20A型TO-220/FP/DAK/TO-247 MOSFET的第二代MDmesh |
文件頁數(shù): | 5/12頁 |
文件大?。?/td> | 273K |
代理商: | STW25NM60N |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
STB30NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.038 ohm - 35A TO-220/TO-220FP/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET |
STB3015LT4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB |
STB30NE06LT4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB |
STB30NF10T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB |
STB30NS15T4 | FUSE BLOCK MAXI |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
STW25NM60ND | 功能描述:MOSFET N-channel 600V, 21A FDMesh II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STW26NM50 | 功能描述:MOSFET N-Ch 500 Volt 30 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STW26NM60 | 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 30 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STW26NM60N | 功能描述:MOSFET N-channel 600 V Mdmesh II Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STW26NM60ND | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO247 |