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參數(shù)資料
| 型號： | STB3015LT4 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直| 40A條（丁）|對263AB |
| 文件頁數(shù)： | 1/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 455K |
| 代理商： | STB3015LT4 |
1/11
May 2002
.
STB30NF10
STP30NF10 STP30NF10FP
N-CHANNEL 100V - 0.038
- 35A TO-220/TO-220FP/D
2
PAK
LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFET
I
TYPICAL R
DS
(on) = 0.038
I
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY
I
100% AVALANCHE TESTED
I
APPLICATION ORIENTED
CHARACTERIZATION
I
SURFACE-MOUNTING D
2
PAK (TO-263)
POWER PACKAGE IN TUBE (NO SUFFIX) OR
IN TAPE & REEL (SUFFIX “T4”)
DESCRIPTION
This Power MOSFET is the latest development of
STMicroelectronis unique "Single Feature Size"
strip-based process. The resulting transistor
shows extremely high packing density for low on-
resistance, rugged avalanche characteristics and
less critical alignment steps therefore a remark-
able manufacturing reproducibility.
APPLICATIONS
I
HIGH-EFFICIENCY DC-DC CONVERTERS
I
UPS AND MOTOR CONTROL
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
STB30NF10
STP30NF10
STP30NF10FP
100 V
100 V
100 V
<0.045
<0.045
<0.045
35 A
35 A
18 A
TO-220
1
2
3
TO-220FP
1
3
D
2
PAK
TO-263
(Suffix “T4”)
1
2
3
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
(
)
Pulse width limited by safe operating area.
(1) I
SD
≤
30A, di/dt
≤
400A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, T
j
≤
T
JMAX
(2) Starting T
j
= 25
o
C, I
D
= 15A, V
DD
= 30V
Parameter
Value
Unit
STB30NF10
STP30NF10
STP30NF10FP
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
)
P
tot
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
Gate- source Voltage
Drain Current (continuous) at T
C
= 25°C
Drain Current (continuous) at T
C
= 100°C
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
C
= 25°C
Derating Factor
Peak Diode Recovery voltage slope
Single Pulse Avalanche Energy
Insulation Withstand Voltage (DC)
Storage Temperature
Operating Junction Temperature
100
100
± 20
V
V
V
A
A
A
W
35
25
140
115
0.77
18
13
72
30
0.2
W/°C
V/ns
mJ
V
dv/dt
(1)
E
AS (2)
V
ISO
T
stg
T
j
28
275
------
2000
-55 to 175
°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STB30NE06LT4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB |
| STB30NF10T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB |
| STB30NS15T4 | FUSE BLOCK MAXI |
| STB30N10 | CAP 22PF 200V 10% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22 |
| STB30NS15 | N-CHANNEL 150V - 0.075 ohm - 30A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STB30200CTR | 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:- 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 15A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:160μA @ 200V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| STB3020L | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 30V - 0.019ohm - 40A - D2PAK STripFET] POWER MOSFET |
| STB3055L2 | 制造商:SAMHOP 制造商全稱:SAMHOP 功能描述:N-Channel Logic Level E nhancement Mode Field Effect Transistor |
| STB3060CTR | 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:- 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:700mV @ 15A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1.2mA @ 60V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| STB30N10 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 100V - 0.06ohm - 30A - D2PAK POWER MOS TRANSISTOR |
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