參數(shù)資料
型號： STB3015LT4
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直| 40A條（丁）|對263AB
文件頁數(shù)： 6/11頁
文件大?。?/td> 455K
代理商： STB3015LT4
STB30NF10 STP30NF10 STP30NF10FP
6/11
Fig. 1:
Unclamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveform
Fig. 3:
Switching Times Test Circuits For Resistive
Load
Fig. 4:
Gate Charge test Circuit
Fig. 5:
Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Recovery Times
相關PDF資料
PDF描述
STB30NE06LT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB
STB30NF10T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB
STB30NS15T4 FUSE BLOCK MAXI
STB30N10 CAP 22PF 200V 10% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
STB30NS15 N-CHANNEL 150V - 0.075 ohm - 30A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STB30200CTR 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:- 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 15A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:160μA @ 200V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1
STB3020L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 30V - 0.019ohm - 40A - D2PAK STripFET] POWER MOSFET
STB3055L2 制造商:SAMHOP 制造商全稱:SAMHOP 功能描述:N-Channel Logic Level E nhancement Mode Field Effect Transistor
STB3060CTR 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:- 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:700mV @ 15A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1.2mA @ 60V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1
STB30N10 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 100V - 0.06ohm - 30A - D2PAK POWER MOS TRANSISTOR
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