參數(shù)資料
型號： STP55NF06LFP
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 55A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK STripFET⑩II POWER MOSFET
中文描述： N溝道60V的- 0.014ohm - 55A條TO-220/FP/D2PAK/I2PAK STripFET⑩二功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/12頁
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代理商： STP55NF06LFP
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STP55NF06L - STP55NF06LFP - STB55NF06L - STB55NF06L-1
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
SWITCHING ON
Symbol
t
d(on)
SWITCHING OFF
Symbol
t
d(off)
t
f
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
Note: 1.
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by safe operating area.
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 30 V, I
D
= 27.5A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 3)
V
DD
= 48 V, I
D
= 55 A,
V
GS
= 4.5V
Min.
Typ.
Max.
Unit
Turn-on Delay Time
20
ns
t
r
Rise Time
100
ns
Q
g
Q
gs
Q
gs
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
27
7
10
37
nC
nC
nC
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 30 V, I
D
= 27.5 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 4.5V
(see test circuit, Figure 5)
Min.
Typ.
40
20
Max.
Unit
ns
ns
Turn-off-Delay Time
Fall Time
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Source-drain Current
55
A
Source-drain Current (pulsed)
220
A
Forward On Voltage
I
SD
= 55 A, V
GS
= 0
1.3
V
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
I
SD
= 55A, di/dt = 100A/μs,
V
DD
= 30 V, T
j
= 150°C
(see test circuit, Figure 5)
80
200
5
ns
nC
A
Thermal mpedance or TO-220/D2PAK/I2PAK
Safe Operating Area For TO-220/D2PAK/I2PAK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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STP5N105K5 功能描述:MOSFET N-CH 1050V 3A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1050V（1.05kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:210pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STP5N120 功能描述:MOSFET N-Ch, 1200V-2.8ohms 4.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP5N30 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP5N30FI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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