參數(shù)資料
型號(hào): STP55NF06LFP
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 55A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK STripFET⑩II POWER MOSFET
中文描述: N溝道60V的- 0.014ohm - 55A條TO-220/FP/D2PAK/I2PAK STripFET⑩二功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù): 10/12頁(yè)
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代理商: STP55NF06LFP
STP55NF06L - STP55NF06LFP - STB55NF06L - STB55NF06L-1
10/12
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
4.4
4.6
0.173
0.181
A1
2.49
2.69
0.098
0.106
B
0.7
0.93
0.027
0.036
B2
1.14
1.7
0.044
0.067
C
0.45
0.6
0.017
0.023
C2
1.23
1.36
0.048
0.053
D
8.95
9.35
0.352
0.368
e
2.4
2.7
0.094
0.106
E
10
10.4
0.393
0.409
L
13.1
13.6
0.515
0.531
L1
3.48
3.78
0.137
0.149
L2
1.27
1.4
0.050
0.055
L
L1
B
B
D
E
A
C
C
A
L2
e
P011P5/E
TO-262 (I
2
PAK) MECHANICAL DATA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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STB5610 GPS RF FRONT-END IC
STB5NA50 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET)
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STB60N06-14 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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參數(shù)描述
STP57N65M5 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP5N105K5 功能描述:MOSFET N-CH 1050V 3A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1050V(1.05kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):12.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):210pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STP5N120 功能描述:MOSFET N-Ch, 1200V-2.8ohms 4.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP5N30 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP5N30FI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR