參數(shù)資料
型號： STP55NF06LFP
廠商： 意法半導體
英文描述： N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 55A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK STripFET⑩II POWER MOSFET
中文描述： N溝道60V的- 0.014ohm - 55A條TO-220/FP/D2PAK/I2PAK STripFET⑩二功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大小： 454K
代理商： STP55NF06LFP
STP55NF06L - STP55NF06LFP - STB55NF06L - STB55NF06L-1
2/12
THERMAL DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TCASE
= 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125 °C
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
ON
(1)
Symbol
V
GS(th)
R
DS(on)
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(1)
C
iss
C
oss
C
rss
TO-220
D
2
PAK
I
2
PAK
1.58
TO-220FP
Rthj-case
Rthj-amb
T
l
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
5.0
°C/W
°C/W
°C
62.5
300
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Test Conditions
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
Min.
60
Typ.
Max.
Unit
V
V
DS
= Max Rating
1
μA
10
μA
V
GS
= ± 16 V
±100
nA
Parameter
Test Conditions
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
V
GS
= 5 V, I
D
= 27.5 A
V
GS
= 10V, I
D
= 27.5 A
Min.
Typ.
Max.
Unit
Gate Threshold Voltage
1
1.7
V
Static Drain-source On
Resistance
0.016
0.020
0.014
0.018
Parameter
Test Conditions
V
DS
= 15V , I
D
= 27.5 A
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward Transconductance
30
S
Input Capacitance
1700
pF
Output Capacitance
300
pF
Reverse Transfer
Capacitance
105
pF
相關PDF資料
PDF描述
STB5600 GPS RF FRONT-END IC
STB5610 GPS RF FRONT-END IC
STB5NA50 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOSFET)
STB5NA80 N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強模式功率ＭＯＳ晶體管)
STB60N06-14 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP57N65M5 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP5N105K5 功能描述:MOSFET N-CH 1050V 3A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1050V（1.05kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:210pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50
STP5N120 功能描述:MOSFET N-Ch, 1200V-2.8ohms 4.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP5N30 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP5N30FI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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