參數(shù)資料
型號(hào)： STP1080ABGA-83
元件分類： 微控制器/微處理器
英文描述： SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PBGA256
封裝： PLASTIC, BGA-256
文件頁(yè)數(shù)： 8/22頁(yè)
文件大?。?/td> 124K
代理商： STP1080ABGA-83
206
STP1080A
Companion Device for 167/200 MHz UltraSPARC-I Systems
UltraSPARC-I Data Buffer (UDB-I)
July 1997
1. TDO is referenced from falling edge of TCK.
1. Derating factors are shown to aid in board design. This specication is not veried during manufacturing testing.
1. Loop lter values are given as an aid in board design. Values may need to be optimized for your particular application.
1. TJ can be calculated by: TJ = TA + PD x ThetaJA.
Thermal resistance measured using UltraSPARC-I heatsink. PD = Power Dissipation.
AC Characteristics - IEEE1149.1 Timing
Symbol
Parameter
Signals
Conditions
83 MHz
100 MHz
Units
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
tSU (TRST)
Input setup time to TCK
TRST
10
–
10
–
ns
tSU (TDI)
Input setup time to TCK
TDI
2
–
2
–
ns
tSU (TMS)
Input setup time to TCK
TMS
2
–
2
–
ns
tH(TRST)
Input hold time to TCK
TRST
10
–
10
–
ns
tH(TDI)
Input hold time to TCK
TDI
2
–
2
–
ns
tH(TMS)
Input hold time to TCK
TMS
2
–
2
–
ns
tPD(TDO)
Output delay from TCK [1]
TDO
IOL = 8 mA
IOH = -4 mA
CL = 35 pF
VLOAD =1.5V
15
–
15
–
ns
tOH(TDO)
Output hold time from TCK
TDO
–10–
ns
AC Characteristics - TPD (Output) Capacitive Derating Factor [1]
Symbol
Parameter
83 MHz
100 MHz
Units
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
tPD
Capacitive derating factor
0.2
0.3
0.4
TBD
ns/10pf
Loop Filter Values [1]
Frequency
Rs
Cs
Cp
83Mhz
18ohm
56nf
1.0nf
Thermal Resistance vs. Air Flow [1]
Symbol
Air Flow (ft/min)
Units
100
200
300
500
ThetaJA
TBD
( C/W)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP1081ABGA-125 SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PBGA256
STP1081ABGA-150 SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PBGA256
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參數(shù)描述
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STP10LN80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:630 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:427pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
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