參數(shù)資料
型號(hào)： STGW20NC60VD
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 30A - 600V TO-247 Very Fast PowerMESH IGBT
中文描述： N溝道30A條- 600V到- 247 IGBT的非?？霵owerMESH
文件頁(yè)數(shù)： 1/11頁(yè)
文件大?。?/td> 303K
代理商： STGW20NC60VD
1/11
July 2004
STGW20NC60VD
N-CHANNEL 30A - 600V
TO-247
Very Fast PowerMESH IGBT
Table 1: General Features
I
OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT
I
LOSSES INCLUDE DIODE RECOVERY
ENERGY
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
I
HIGH FREQUENCY OPERATION UP TO 50
KHz
I
VERY SOFT ULTRA FAST RECOVERY
ANTIPARALLEL DIODE
I
LOWER C
RES
/C
IES
RATIO
I
NEW GENERATION PRODUCTS WITH
TIGHTER PARAMETER DISTRIBUTION
DESCRIPTION
Using the latest high voltage technology based on
a patented strip layout, STMicroelectronics has
designed an advanced family of IGBTs, the Pow-
erMESH
IGBTs, with outstanding performances.
The suffix “V” identifies a family optimized for high
frequency applications.
APPLICATIONS
I
HIGH FREQUENCY INVERTERS
I
SMPS and PFC IN BOTH HARD SWITCH AND
RESONANT TOPOLOGIES
I
UPS
I
MOTOR DRIVERS
Table 2: Order Codes
Figure 1: Package
Figure 2: Internal Schematic Diagram
TYPE
V
CES
V
CE(sat)
(Max)
@25°C
I
C
@100°C
STGW20NC60VD
600 V
< 2.5 V
30 A
1
2
3
TO-247
Weight: 4.41gr ± 0.01
Max Clip Pressure: 150 N/mm
2
SALES TYPE
MARKING
PACKAGE
PACKAGING
STGW20NC60VD
GW20NC60VD
TO-247
TUBE
Rev. 4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGW30NC60W N-CHANNEL 30A - 600V - TO-247 Ultra FAST Switching PowerMESH IGBT
STH15NB50 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MESH OVERLAY POWER MOSFET
STH15NA50FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STH16NA40 N - CHANNEL 400V - 0.21ohm - 16A - TO-247/ISOWATT218 POWER MOS TRANSISTORS
STH6NA80FI N-Channel 800V-1.8Ω-5.4A - TO-247/ISOWATT218 Fast Power MOS Transistor(N溝道快速功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGW20V60DF 功能描述:IGBT 晶體管 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:40 A 柵極—射極漏泄電流:250 nA 功率耗散:167 W 最大工作溫度:+ 175 C 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGW20V60F 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT & POWER BIPOLAR - Rail/Tube
STGW25H120DF 制造商:STMicroelectronics 功能描述:HIGH SPEED 25 A, 1200 V, TRENCH GATE FIELD STOP IGBT - Bulk
STGW25H120DF2 功能描述:IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):100A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.6V @ 15V，25A 功率 - 最大值:375W 開(kāi)關(guān)能量:600μJ（開(kāi)），700μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:100nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:29ns/130ns 測(cè)試條件:600V，25A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:303ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
STGW25H120F 制造商:STMicroelectronics 功能描述:HIGH SPEED 25 A, 1200 V, TRENCH GATE FIELD STOP IGBT - Bulk
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*