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參數(shù)資料
| 型號： | STH15NA50FI |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
| 中文描述： | ? -快速通道增強型功率MOS器件 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 110K |
| 代理商： | STH15NA50FI |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STH16NA40 | N - CHANNEL 400V - 0.21ohm - 16A - TO-247/ISOWATT218 POWER MOS TRANSISTORS |
| STH6NA80FI | N-Channel 800V-1.8Ω-5.4A - TO-247/ISOWATT218 Fast Power MOS Transistor(N溝道快速功率MOSFET) |
| STW6NA80 | N-Channel 800V-1.8Ω-5.4A - TO-247/ISOWATT218 Fast Power MOS Transistor(N溝道快速功率MOSFET) |
| STH7NA80FI | N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOSFET) |
| STH7NA90FI | N-Channel 900V-1.05Ω-7A- TO-247/ISOWATT218 Fast Power MOSFET(N溝道快速功率MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STH15NB50 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500V - 0.33ohm - 14.6A - T0-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET |
| STH15NB50FI | 功能描述:MOSFET N-CH500V 10.5A ISOWATT218 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:PowerMESH™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| STH16002 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-218AC |
| STH16002A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 500V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-218AC |
| STH16004 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-218AC |
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