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參數(shù)資料
| 型號： | STH7NA80FI |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOSFET) |
| 中文描述： | N溝道增強模式快速功率MOS晶體管（不適用溝道增強模式快速功率MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 1/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 122K |
| 代理商： | STH7NA80FI |
STW7NA80
STH7NA80FI
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE
FAST POWER MOS TRANSISTOR
I
TYPICAL R
DS(on)
= 1.68
I
±
30V GATE TO SOURCE VOLTAGERATING
I
100%AVALANCHE TESTED
I
REPETITIVEAVALANCHE DATA AT 100
o
C
I
LOW INTRINSIC CAPACITANCES
I
GATE CHARGE MINIMIZED
I
REDUCED THRESHOLD VOLTAGESPREAD
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
I
SWITCH MODE POWERSUPPLIES(SMPS)
I
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE
POWERSUPPLIES AND MOTOR DRIVE
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
STW7NA80
STH7NA80FI
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
800
V
V
DGR
V
GS
I
D
800
V
±
30
V
6.5
4
A
I
D
4
2.5
A
I
DM
(
)
P
tot
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Derating Factor
26
26
A
150
60
W
1.2
0.48
W/
o
C
V
ISO
Insulation Withstand Voltage (DC)
4000
V
T
stg
T
j
Storage Temperature
-65 to 150
o
C
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulse width limited by safe operating area
150
o
C
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
<
1.9
<
1.9
I
D
STW7NA80
STH7NA80FI
800 V
800 V
6.5 A
4 A
October 1998
TO-247
ISOWATT218
1
2
3
1
23
1/10
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STH7NA90FI | N-Channel 900V-1.05Ω-7A- TO-247/ISOWATT218 Fast Power MOSFET(N溝道快速功率MOSFET) |
| STH8NB90FI | N-CHANNEL 900V - 1.1 ohm - 8 A TO-247/ISOWATT218 PowerMesh⑩ MOSFET |
| STW8NB90 | N-CHANNEL 900V - 1.1 ohm - 8 A TO-247/ISOWATT218 PowerMesh⑩ MOSFET |
| STi3520 | MPEG Audio / MPEG-2 Video Integrated Decoder(ＭＰＥＧ音頻／ＭＰＥＧ視頻集成解碼器) |
| STi5514AWC | Set-top box decoder with hard disk drive capability <br> for digital TV, digital set-top box or cable box |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STH7NA90FI | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 900V - 1.05ohm - 7A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOSFET |
| STH-8 | 制造商:Speco Technologies 功能描述: |
| STH80N05 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-218 |
| STH80N05FI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 52A I(D) | TO-218VAR |
| STH80N10F7-2 | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.5 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3100pF @ 50V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型 供應商器件封裝:H2PAK 標準包裝:1 |
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