參數(shù)資料
型號： STH16NA40
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N - CHANNEL 400V - 0.21ohm - 16A - TO-247/ISOWATT218 POWER MOS TRANSISTORS
中文描述： ? -頻道400V - 0.21ohm - 16A條- TO-247/ISOWATT218功率MOS晶體管
文件頁數(shù)： 1/6頁
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代理商： STH16NA40
STW16NA40
STH16NA40FI
N - CHANNEL 400V - 0.21
- 16A - TO-247/ISOWATT218
POWER MOS TRANSISTORS
PRELIMINARY DATA
I
TYPICAL R
DS(on)
= 0.21
I
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY
I
100% AVALANCHE TESTED
I
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100
o
C
I
APPLICATION ORIENTED
CHARACTERIZATION
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
I
SWITCH MODE POWER SUPPLY (SMPS)
I
CHOPPER REGULATORS, CONVERTERS,
MOTOR CONTROL, LIGHTING FOR
INDUSTRIAL AND CONSUMER
ENVIRONMENT
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
STW16NA40
STH16NA40FI
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
400
V
400
±
30
V
V
16
10
A
I
D
10
7
A
I
DM
(
)
P
tot
64
64
A
180
70
W
Derating Factor
1.44
0.56
W/
o
C
V
ISO
T
stg
T
j
Insulation Withstand Voltage (DC)
4000
V
o
C
o
C
Storage Temperature
-65 to 150
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulse width limited by safe operating area
150
TYPE
V
DSS
400 V
400V
R
DS(on)
< 0.3
< 0.3
I
D
STW16NA40
STH16NA40FI
16 A
10 A
October 1998
TO-247 ISOWATT218
1
2
3
1
2
3
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STH6NA80FI N-Channel 800V-1.8Ω-5.4A - TO-247/ISOWATT218 Fast Power MOS Transistor(N溝道快速功率MOSFET)
STW6NA80 N-Channel 800V-1.8Ω-5.4A - TO-247/ISOWATT218 Fast Power MOS Transistor(N溝道快速功率MOSFET)
STH7NA80FI N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET)
STH7NA90FI N-Channel 900V-1.05Ω-7A- TO-247/ISOWATT218 Fast Power MOSFET(N溝道快速功率MOSFET)
STH8NB90FI N-CHANNEL 900V - 1.1 ohm - 8 A TO-247/ISOWATT218 PowerMesh⑩ MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STH16NA40FI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 400V - 0.21ohm - 16A - TO-247/ISOWATT218 POWER MOS TRANSISTORS
STH17-0402 制造商:FW BELL 功能描述:TRANSVERSE TEST PROBE; Test Probe Functions:Magnetic Field; For Use With:FW Bell 5170 Series Gaussmeters; Accuracy: 2%; Cable Length:1.524m; Features:2" Probe Length, 0.158" dia.; Temperature Measuring Range:0C to 75C ;RoHS Compliant: Yes
STH17-0404 制造商:FW Bell 功能描述:TRANSVERSE TEST PROBE 制造商:FW BELL 功能描述:TRANSVERSE TEST PROBE; Test Probe Functions:Magnetic Field; For Use With:FW Bell 5170 Series Gaussmeters; Accuracy: 2%; Cable Length:1.524m; Features:4" Probe Length, 0.158" dia. (incl. w/5170); Temperature Measuring Range:0 to 75C;RoHS Compliant: Yes
STH170N8F7-2 功能描述:MOSFET N-CH 80V 120A H2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F7 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.7 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:120nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8710pF @ 40V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:H2Pak-2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STH175N4F6-2AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，STripFET? F6 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:130nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7735pF @ 20V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型 供應(yīng)商器件封裝:H2Pak-2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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