參數(shù)資料
型號： STGP3NB60S
廠商： 意法半導體
英文描述： N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220 / DPAK PowerMESH⑩ IGBT
中文描述： N溝道3A條- 600V的-到220 / IGBT的DPAK封裝PowerMESH⑩
文件頁數(shù)： 1/10頁
文件大?。?/td> 411K
代理商： STGP3NB60S
1/10
August 2002
STGP3NB60S
STGD3NB60S
N-CHANNEL 3A - 600V
- TO-220 / DPAK
PowerMESH IGBT
(
G
) Pulse width limitedby safe operating area
I
HIGH INPUT IMPEDANCE (VOLTAGE DRIVEN)
I
VERY LOW ON-VOLTAGE DROP (V
cesat
)
I
OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT
I
ADD SUFFIX “T4” FOR ORDERING IN TAPE &
REEL (SMD VERSION)
DESCRIPTION
Using the latest high voltage technology based on a
patented strip layout, STMicroelectronics has
designed an advanced family of IGBTs, the
PowerMESH
IGBTs, with outstanding
performances. The suffix “S” identifies a family
optimized achieve minimum on-voltage drop for low
frequency applications (<1kHz).
APPLICATIONS
I
MOTOR CONTROL
I
LIGHT DIMMER
I
STATIC RELAYS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
TYPE
V
CES
V
CE(sat)
I
C
STGP3NB60S
STGD3NB60S
600 V
600 V
< 1.5
V
< 1.5
V
3 A
3 A
Parameter
Value
Unit
STGP3NB60S
STGD3NB60S
V
CES
V
ECR
V
GE
I
C
I
C
I
CM
( )
P
TOT
Collector-Emitter Voltage (V
GS
= 0)
600
V
Reverse Battery Protection
20
V
Gate-Emitter Voltage
±20
V
Collector Current (continuous) at T
C
= 25°C
Collector Current (continuous) at T
C
= 100°C
6
A
3
A
Collector Current (pulsed)
24
A
Total Dissipation at T
C
= 25°C
Derating Factor
65
45
W
0.32
W/°C
T
stg
T
j
Storage Temperature
–65 to 150
°C
Max. Operating Junction Temperature
150
°C
DPAK
1
2
3
1
3
TO-220
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
相關PDF資料
PDF描述
STGW20NC60VD N-CHANNEL 30A - 600V TO-247 Very Fast PowerMESH IGBT
STGW30NC60W N-CHANNEL 30A - 600V - TO-247 Ultra FAST Switching PowerMESH IGBT
STH15NB50 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MESH OVERLAY POWER MOSFET
STH15NA50FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STH16NA40 N - CHANNEL 400V - 0.21ohm - 16A - TO-247/ISOWATT218 POWER MOS TRANSISTORS
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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STGP40V60F 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT & POWER BIPOLAR - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:600 V, 40 A very high speed trench gate field-stop IGBT, TO-220 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT & Power Bipolar
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STGP5H60DF 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):20A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.95V @ 15V，5A 功率 - 最大值:88W 開關能量:56μJ（開），78.5μJ（關） 輸入類型:標準 柵極電荷:43nC 25°C 時 Td（開/關）值:30ns/140ns 測試條件:400V，5A，47 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:134.5ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50
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