參數資料
型號： STE70NM50
廠商： 意法半導體
英文描述： N-CHANNEL 500V - 0.045ohm - 70A ISOTOP Zener-Protected MDmesh⑩Power MOSFET
中文描述： N溝道500V - 0.045ohm - 70A條1000V的集電極齊納⑩保護的MDmesh功率MOSFET
文件頁數： 2/8頁
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代理商： STE70NM50
STE70NM50
2/8
THERMAL DATA
Rthj-case
Rthj-amb
T
l
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
E
AS
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25 °C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 35 V)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
CASE
= 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125 °C
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
ON
(1)
Symbol
V
GS(th)
R
DS(on)
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(1)
Note: 1.
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
0.2
30
°C/W
°C/W
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
300
°C
Parameter
Max Value
30
Unit
A
1.4
J
Test Conditions
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
Min.
500
Typ.
Max.
Unit
V
V
DS
= Max Rating
10
μA
100
μA
V
GS
= ± 20V
± 10
μA
Parameter
Test Conditions
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V, I
D
= 30A
Min.
Typ.
Max.
Unit
Gate Threshold Voltage
3
4
5
V
Static Drain-source On
Resistance
0.045
0.05
Parameter
Test Conditions
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max,
I
D
= 30A
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
Min.
Typ.
35
Max.
Unit
S
Forward Transconductance
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
7500
pF
Output Capacitance
980
pF
Reverse Transfer
Capacitance
Gate Input Resistance
200
pF
R
G
f=1 MHz Gate DC Bias = 0
Test Signal Level = 20mV
Open Drain
1.5
相關PDF資料
PDF描述
STE70NM60 N-CHANNEL 600V - 0.050W - 70A ISOTOP Zener-Protected MDmesh Power MOSFET
STF11NM80 N-CHANNEL 800V - 0.35ohm - 11A TO-220/FP/D2PAK/TO-247 MDmesh?Power MOSFET
STW11NM80 N-CHANNEL 800V - 0.35ohm - 11A TO-220/FP/D2PAK/TO-247 MDmesh?Power MOSFET
STW11NB80 CONNECTOR ACCESSORY
STF21NM50N N-CHANNEL 500V - 0.15ohm - 18A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
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STE750-75T4MI 功能描述:鉭質電容器-濕式 75volts 750uF 20% T4 case size RoHS:否 制造商:Vishay/Tansitor 電容:2800 uF 電壓額定值:35 V ESR:0.35 Ohms 容差:20 % 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 85 C 制造商庫存號:T4 Case 外殼直徑:9.52 mm 外殼長度:26.97 mm 外殼寬度: 外殼高度: 系列:STE 產品:Tantalum Wet Hermetically Sealed 封裝:Bulk
STE800P 制造商:STMicroelectronics 功能描述:8 PORT FAST ETHERNET TRANSCEIVER - Bulk
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