參數(shù)資料
型號(hào)： STE70NM60
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 600V - 0.050W - 70A ISOTOP Zener-Protected MDmesh Power MOSFET
中文描述： N溝道600V的- 0.050W -第70A 1000V的集電極齊納保護(hù)的MDmesh功率MOSFET
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 288K
代理商： STE70NM60
1/8
September 2002
STE70NM50
N-CHANNEL 500V - 0.045
- 70A ISOTOP
Zener-Protected MDmeshPower MOSFET
n
TYPICAL R
DS
(on) = 0.045
n
HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES
n
IMPROVED ESD CAPABILITY
n
LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE
CHARGE
n
LOW GATE INPUT RESISTANCE
n
TIGHT PROCESS CONTROL
n
INDUSTRY’S LOWEST ON-RESISTANCE
DESCRIPTION
The MDmesh
is a new revolutionary MOSFET
technology that associates the Multiple Drain pro-
cess with the Company’s PowerMESH horizontal
layout. The resulting product has an outstanding low
on-resistance, impressively high dv/dt and excellent
avalanche characteristics. The adoption of the
Company’s proprietary strip technique yields overall
dynamic performance that is significantly better than
that of similar competition’s products.
APPLICATIONS
The MDmesh family is very suitable for increasing
power density of high voltage converters allowing
system miniaturization and higher efficiencies.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
V
DGR
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
V
GS
Gate- source Voltage
I
D
Drain Current (continuous) at T
C
= 25°C
I
D
Drain Current (continuous) at T
C
= 100°C
I
DM
(
l
)
Drain Current (pulsed)
P
TOT
Total Dissipation at T
C
= 25°C
V
ESD(G-S)
Gate source ESD(HBM-C=100pF, R=15K
)
Derating Factor
dv/dt (1)
Peak Diode Recovery voltage slope
T
stg
Storage Temperature
T
j
Max. Operating Junction Temperature
()Pulse width limited by safe operating area
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
STE70NM50
500V
< 0.05
70 A
Parameter
Value
Unit
500
V
500
V
±30
V
70
A
44
A
280
A
600
W
6
KV
5
15
W/°C
V/ns
–65 to 150
°C
150
°C
(1)I
SD
≤
60A, di/dt
≤
400A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, T
j
≤
T
JMAX
ISOTOP
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STF11NM80 N-CHANNEL 800V - 0.35ohm - 11A TO-220/FP/D2PAK/TO-247 MDmesh?Power MOSFET
STW11NM80 N-CHANNEL 800V - 0.35ohm - 11A TO-220/FP/D2PAK/TO-247 MDmesh?Power MOSFET
STW11NB80 CONNECTOR ACCESSORY
STF21NM50N N-CHANNEL 500V - 0.15ohm - 18A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STB21NM50N N-CHANNEL 500V - 0.15ohm - 18A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STE750-75T4KI 功能描述:鉭質(zhì)電容器-濕式 75volts 750uF 10% T4 case size RoHS:否 制造商:Vishay/Tansitor 電容:2800 uF 電壓額定值:35 V ESR:0.35 Ohms 容差:20 % 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 85 C 制造商庫存號(hào):T4 Case 外殼直徑:9.52 mm 外殼長(zhǎng)度:26.97 mm 外殼寬度: 外殼高度: 系列:STE 產(chǎn)品:Tantalum Wet Hermetically Sealed 封裝:Bulk
STE750-75T4KX 制造商:Vishay Sprague 功能描述:SUPER-TAN LOW ESR 750UF 10% 75V T4 CASE UNINSULATED - Bulk
STE750-75T4MI 功能描述:鉭質(zhì)電容器-濕式 75volts 750uF 20% T4 case size RoHS:否 制造商:Vishay/Tansitor 電容:2800 uF 電壓額定值:35 V ESR:0.35 Ohms 容差:20 % 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 85 C 制造商庫存號(hào):T4 Case 外殼直徑:9.52 mm 外殼長(zhǎng)度:26.97 mm 外殼寬度: 外殼高度: 系列:STE 產(chǎn)品:Tantalum Wet Hermetically Sealed 封裝:Bulk
STE800P 制造商:STMicroelectronics 功能描述:8 PORT FAST ETHERNET TRANSCEIVER - Bulk
STE88N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 88A ISOTOP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:88A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:29 毫歐 @ 42A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:204nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:8825pF @ 100V 功率 - 最大值:494W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10
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