參數(shù)資料
型號(hào)： STE70NM60
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 600V - 0.050W - 70A ISOTOP Zener-Protected MDmesh Power MOSFET
中文描述： N溝道600V的- 0.050W -第70A 1000V的集電極齊納保護(hù)的MDmesh功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 288K
代理商： STE70NM60
STE70NM50
2/8
THERMAL DATA
Rthj-case
Rthj-amb
T
l
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
E
AS
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25 °C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 35 V)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
CASE
= 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125 °C
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
ON
(1)
Symbol
V
GS(th)
R
DS(on)
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(1)
Note: 1.
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
0.2
30
°C/W
°C/W
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
300
°C
Parameter
Max Value
30
Unit
A
1.4
J
Test Conditions
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
Min.
500
Typ.
Max.
Unit
V
V
DS
= Max Rating
10
μA
100
μA
V
GS
= ± 20V
± 10
μA
Parameter
Test Conditions
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V, I
D
= 30A
Min.
Typ.
Max.
Unit
Gate Threshold Voltage
3
4
5
V
Static Drain-source On
Resistance
0.045
0.05
Parameter
Test Conditions
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max,
I
D
= 30A
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
Min.
Typ.
35
Max.
Unit
S
Forward Transconductance
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
7500
pF
Output Capacitance
980
pF
Reverse Transfer
Capacitance
Gate Input Resistance
200
pF
R
G
f=1 MHz Gate DC Bias = 0
Test Signal Level = 20mV
Open Drain
1.5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STF11NM80 N-CHANNEL 800V - 0.35ohm - 11A TO-220/FP/D2PAK/TO-247 MDmesh?Power MOSFET
STW11NM80 N-CHANNEL 800V - 0.35ohm - 11A TO-220/FP/D2PAK/TO-247 MDmesh?Power MOSFET
STW11NB80 CONNECTOR ACCESSORY
STF21NM50N N-CHANNEL 500V - 0.15ohm - 18A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STB21NM50N N-CHANNEL 500V - 0.15ohm - 18A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STE750-75T4KI 功能描述:鉭質(zhì)電容器-濕式 75volts 750uF 10% T4 case size RoHS:否 制造商:Vishay/Tansitor 電容:2800 uF 電壓額定值:35 V ESR:0.35 Ohms 容差:20 % 端接類(lèi)型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 85 C 制造商庫(kù)存號(hào):T4 Case 外殼直徑:9.52 mm 外殼長(zhǎng)度:26.97 mm 外殼寬度: 外殼高度: 系列:STE 產(chǎn)品:Tantalum Wet Hermetically Sealed 封裝:Bulk
STE750-75T4KX 制造商:Vishay Sprague 功能描述:SUPER-TAN LOW ESR 750UF 10% 75V T4 CASE UNINSULATED - Bulk
STE750-75T4MI 功能描述:鉭質(zhì)電容器-濕式 75volts 750uF 20% T4 case size RoHS:否 制造商:Vishay/Tansitor 電容:2800 uF 電壓額定值:35 V ESR:0.35 Ohms 容差:20 % 端接類(lèi)型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 85 C 制造商庫(kù)存號(hào):T4 Case 外殼直徑:9.52 mm 外殼長(zhǎng)度:26.97 mm 外殼寬度: 外殼高度: 系列:STE 產(chǎn)品:Tantalum Wet Hermetically Sealed 封裝:Bulk
STE800P 制造商:STMicroelectronics 功能描述:8 PORT FAST ETHERNET TRANSCEIVER - Bulk
STE88N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 88A ISOTOP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:88A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:29 毫歐 @ 42A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:204nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:8825pF @ 100V 功率 - 最大值:494W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10
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