參數(shù)資料
型號(hào)： STD50N03L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 30V - 9.2mohm - 40A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET
中文描述： N溝道30V的- 9.2mohm - 40A條-的DPAK /像是iPak STripFET商標(biāo)第三功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/16頁
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代理商： STD50N03L
Electrical characteristics
STD50N03L - STD50N03L-1
4/16
2
Electrical characteristics
(T
CASE
=25°C unless otherwise specified)
Table 3.
On/off states
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source breakdown
voltage
I
D
= 250
μ
A, V
GS
= 0
30
V
I
DSS
Zero gate voltage drain
current (V
GS
= 0)
V
DS
= 30V
V
DS
= 30V, Tc=125°C
1
10
μA
μA
I
GSS
Gate body leakage current
(V
DS
= 0)
V
GS
= ±20V
±
100
nA
V
GS(th)
Gate threshold voltage
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
1
V
R
DS(on)
Static drain-source on
resistance
V
GS
= 10V, I
D
= 20A
V
GS
= 5V, I
D
= 20A
9.2
0.012
10.5
0.019
m
Table 4.
Dynamic
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
C
iss
C
oss
C
rss
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer
capacitance
V
DS
=25V, f=1MHz,
V
GS
=0
1434
294
48
pF
pF
pF
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
V
DD
= 15V, I
D
= 40A
V
GS
= 5V
(see Figure 13)
10.4
5.1
3.7
14
nC
nC
nC
Q
OSS (1)
1.
Q
OSS
=C
OSS
*D V
in
; C
OSS
= C
gd
+ C
gd
. See
Appendix A
Output charge
V
DS
= 24V ; V
GS
=0
12.6
nC
R
G
Gate input resistance
f=1MHz Gate Bias
Bias=0 Test signal
Level=20mV
open drain
1.1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD50N03L-1 N-CHANNEL 30V - 9.2mohm - 40A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET
STD50NH02L-1 N-channel 24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET
STD50NH02LT4 N-channel 24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET
STD50NH02L RSNTR 12.00MHZ 10PF 0.7% CER SMD-3.4X7.4 -40+85C T&R
STD55NH2LL-1 N-channel 24V - 0.010ohm - 40A - DPAK/IPAK Ultra low gate charge STripFET TM Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD50N03L-1 功能描述:MOSFET N-Channel 30V Pwr Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD50NH02L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET
STD50NH02L_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET
STD50NH02L-1 功能描述:MOSFET N-CH 24V 50A I-PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:STripFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
STD50NH02LT4 功能描述:MOSFET N Ch 24V 0.0085 OHM 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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