參數(shù)資料
型號(hào)： STD50NH02L
廠(chǎng)商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： RSNTR 12.00MHZ 10PF 0.7% CER SMD-3.4X7.4 -40+85C T&R
中文描述： N溝道24V的- 0.0085歐姆- 50A條的DPAK /像是iPak STripFET⑩三功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 1/12頁(yè)
文件大?。?/td> 534K
代理商： STD50NH02L
1/12
September 2003
STD50NH02L
N-CHANNEL 24V - 0.0085
- 50A DPAK/IPAK
STripFET III POWER MOSFET
I
TYPICAL R
DS
(on) = 0.0085
@ 10 V
I
TYPICAL R
DS
(on) = 0.012
@ 5 V
I
R
DS(ON)
* Qg INDUSTRY’s BENCHMARK
I
CONDUCTION LOSSES REDUCED
I
SWITCHING LOSSES REDUCED
I
LOW THRESHOLD DEVICE
I
THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER
PACKAGE IN TUBE (SUFFIX “-1")
I
SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL
(SUFFIX “T4")
DESCRIPTION
The STD50NH02L utilizes the latest advanced design
rules of ST’s proprietary STripFET technology. This is
suitable fot the most demanding DC-DC converter
application where high efficiency is to be achieved.
APPLICATIONS
I
SPECIFICALLY DESIGNED AND OPTIMISED
FOR HIGH EFFICIENCY DC/DC CONVERTES
Ordering Information
SALES TYPE
STD50NH02LT4
STD50NH02L-1
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
STD50NH02L
24 V
< 0.0105
50 A
MARKING
D50NH02L
D50NH02L
PACKAGE
TO-252
TO-251
PACKAGING
TAPE & REEL
TUBE
3
2
1
1
3
IPAK
TO-251
(Suffix “-1”)
DPAK
TO-252
(Suffix “T4”)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
spike(1)
Drain-source Voltage Rating
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
V
DGR
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
V
GS
Gate- source Voltage
I
D
Drain Current (continuous) at T
C
= 25°C
I
D
Drain Current (continuous) at T
C
= 100°C
I
DM(2)
Drain Current (pulsed)
P
tot
Total Dissipation at T
C
= 25°C
Derating Factor
E
AS (3)
Single Pulse Avalanche Energy
T
stg
Storage Temperature
T
j
Max. Operating Junction Temperature
Parameter
Value
30
24
24
± 20
50
36
200
60
0.4
280
Unit
V
V
V
V
A
A
A
W
W/°C
mJ
-55 to 175
°C
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD55NH2LL-1 N-channel 24V - 0.010ohm - 40A - DPAK/IPAK Ultra low gate charge STripFET TM Power MOSFET
STD55NH2LLT4 N-channel 24V - 0.010ohm - 40A - DPAK/IPAK Ultra low gate charge STripFET TM Power MOSFET
STD5N20L N-CHANNEL 200V - 0.65ヘ - 5A DPAK STripFET⑩ MOSFET
STD5N20LT4 N-CHANNEL 200V - 0.65ヘ - 5A DPAK STripFET⑩ MOSFET
STD60NF55L-1 N-channel 55V - 0.012ヘ - 60A - DPAK/IPAK STripFET⑩ II Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD50NH02L_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-channel 24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET
STD50NH02L-1 功能描述:MOSFET N-CH 24V 50A I-PAK RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:STripFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
STD50NH02LT4 功能描述:MOSFET N Ch 24V 0.0085 OHM 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD5100TR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V DPAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管類(lèi)型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:750mV @ 5A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:120μA @ 100V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STD510BLK 功能描述:LED 安裝硬件 .2" DIA X .51" BLACK RoHS:否 制造商:Bivar 產(chǎn)品:LED Mounting Clips LED 大小:5 mm 材料:Nylon 顏色:Black 主體長(zhǎng)度:4.4 mm 面板厚度尺寸: 封裝:Bulk
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