參數(shù)資料
型號(hào)： STD50NH02L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： RSNTR 12.00MHZ 10PF 0.7% CER SMD-3.4X7.4 -40+85C T&R
中文描述： N溝道24V的- 0.0085歐姆- 50A條的DPAK /像是iPak STripFET⑩三功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 3/12頁(yè)
文件大?。?/td> 534K
代理商： STD50NH02L
3/12
STD50NH02L
SWITCHING ON
SWITCHING OFF
SOURCE DRAIN DIODE
(1)
Garanted when external Rg=4.7
and t
< t
.
(4)
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
(2)
Pulse width limited by safe operating area
(5)
Q
oss =
C
oss
*
V
in ,
C
oss =
C
gd +
C
ds .
See Appendix A
(
3
) Starting T
= 25
o
C, I
= 25A, V
DD
= 15V
.
.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Delay Time
Rise Time
V
DD
= 10 V
R
G
= 4.7
(Resistive Load, Figure 3)
I
D
= 25 A
V
GS
= 10 V
10
130
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
= 10 V I
D
= 50 A V
GS
= 10 V
24
5
3.4
32
nC
nC
nC
Q
oss(5)
Output Charge
V
DS
= 16 V V
GS
= 0 V
9.4
nC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(off)
t
f
Turn-off Delay Time
Fall Time
V
DD
= 10 V
R
G
= 4.7
,
(Resistive Load, Figure 3)
I
D
= 25 A
V
GS
= 10 V
27
16
21.6
ns
ns
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
Source-drain Current
Source-drain Current (pulsed)
50
200
A
A
V
SD
(4)
Forward On Voltage
I
SD
= 25 A V
GS
= 0
1.3
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
I
SD
= 50 A
V
DD
= 20 V
(see test circuit, Figure 5)
di/dt = 100A/μs
T
j
= 150°C
36
36
2
ns
nC
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
Safe Operating Area
Thermal Impedance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD55NH2LL-1 N-channel 24V - 0.010ohm - 40A - DPAK/IPAK Ultra low gate charge STripFET TM Power MOSFET
STD55NH2LLT4 N-channel 24V - 0.010ohm - 40A - DPAK/IPAK Ultra low gate charge STripFET TM Power MOSFET
STD5N20L N-CHANNEL 200V - 0.65ヘ - 5A DPAK STripFET⑩ MOSFET
STD5N20LT4 N-CHANNEL 200V - 0.65ヘ - 5A DPAK STripFET⑩ MOSFET
STD60NF55L-1 N-channel 55V - 0.012ヘ - 60A - DPAK/IPAK STripFET⑩ II Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD50NH02L_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET
STD50NH02L-1 功能描述:MOSFET N-CH 24V 50A I-PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:STripFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
STD50NH02LT4 功能描述:MOSFET N Ch 24V 0.0085 OHM 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD5100TR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V DPAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:750mV @ 5A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:120μA @ 100V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STD510BLK 功能描述:LED 安裝硬件 .2" DIA X .51" BLACK RoHS:否 制造商:Bivar 產(chǎn)品:LED Mounting Clips LED 大小:5 mm 材料:Nylon 顏色:Black 主體長(zhǎng)度:4.4 mm 面板厚度尺寸: 封裝:Bulk
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