參數(shù)資料
型號(hào): STD50N03L
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: N-CHANNEL 30V - 9.2mohm - 40A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET
中文描述: N溝道30V的- 9.2mohm - 40A條-的DPAK /像是iPak STripFET商標(biāo)第三功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù): 14/16頁(yè)
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代理商: STD50N03L
Packaging mechanical data
STD50N03L - STD50N03L-1
14/16
5
Packaging mechanical data
TAPE AND REEL SHIPMENT
DPAK FOOTPRINT
DIM.
mm
inch
MIN.
MAX.
330
MIN.
MAX.
12.992
A
B
C
D
G
N
T
1.5
12.8
20.2
16.4
50
0.059
0.504
0.795
0.645
1.968
13.2
0.520
18.4
0.724
22.4
0.881
BASE QTY
2500
BULK QTY
2500
REEL MECHANICAL DATA
DIM.
mm
inch
MIN.
6.8
10.4
MAX.
7
10.6
12.1
1.6
MIN.
0.267
0.409
MAX.
0.275
0.417
0.476
0.063
A0
B0
B1
D
D1
E
F
K0
P0
P1
P2
R
W
1.5
1.5
1.65
7.4
2.55
3.9
7.9
1.9
40
15.7
0.059
0.059
0.065
0.291
0.100
0.153
0.311
0.075
1.574
0.618
1.85
7.6
2.75
4.1
8.1
2.1
0.073
0.299
0.108
0.161
0.319
0.082
16.3
0.641
TAPE MECHANICAL DATA
All dimensions are in millimeters
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD50N03L-1 N-CHANNEL 30V - 9.2mohm - 40A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET
STD50NH02L-1 N-channel 24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET
STD50NH02LT4 N-channel 24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET
STD50NH02L RSNTR 12.00MHZ 10PF 0.7% CER SMD-3.4X7.4 -40+85C T&R
STD55NH2LL-1 N-channel 24V - 0.010ohm - 40A - DPAK/IPAK Ultra low gate charge STripFET TM Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD50N03L-1 功能描述:MOSFET N-Channel 30V Pwr Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD50NH02L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-channel 24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET
STD50NH02L_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-channel 24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET
STD50NH02L-1 功能描述:MOSFET N-CH 24V 50A I-PAK RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:STripFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
STD50NH02LT4 功能描述:MOSFET N Ch 24V 0.0085 OHM 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube