參數(shù)資料
型號(hào)： STD50N03L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 30V - 9.2mohm - 40A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET
中文描述： N溝道30V的- 9.2mohm - 40A條-的DPAK /像是iPak STripFET商標(biāo)第三功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 1/16頁(yè)
文件大小： 325K
代理商： STD50N03L
October 2006
Rev 2
1/16
16
STD50N03L
STD50N03L-1
N-CHANNEL 30V - 9.2m
- 40A - DPAK/IPAK
STripFET III Power MOSFET
General features
■
R
DS(on)
*Q
g
industry’s benchmark
■
Conduction losses reduced
■
Switching losses reduced
■
Low threshold device
Description
This product utilizes the latest advanced design
rules of ST’s proprietary STripFET technology.
This is suitable for the most demanding DC-DC
converter application where high efficiency is to
be achieved.
Applications
■
Switching applications
Internal schematic diagram
Type
V
DSS
R
DS(on)
10.5m
10.5m
I
D
STD50N03L
STD50N03L-1
30V
30V
40A
40A
IPAK
DPAK
3
2
1
1
3
www.st.com
Order codes
Part number
Marking
Package
Packaging
STD50N03L
D50N03L
DPAK
Tape & reel
STD50N03L-1
D50N03L
IPAK
Tube
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD50N03L-1 N-CHANNEL 30V - 9.2mohm - 40A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET
STD50NH02L-1 N-channel 24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET
STD50NH02LT4 N-channel 24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET
STD50NH02L RSNTR 12.00MHZ 10PF 0.7% CER SMD-3.4X7.4 -40+85C T&R
STD55NH2LL-1 N-channel 24V - 0.010ohm - 40A - DPAK/IPAK Ultra low gate charge STripFET TM Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD50N03L-1 功能描述:MOSFET N-Channel 30V Pwr Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD50NH02L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET
STD50NH02L_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET
STD50NH02L-1 功能描述:MOSFET N-CH 24V 50A I-PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:STripFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
STD50NH02LT4 功能描述:MOSFET N Ch 24V 0.0085 OHM 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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