參數(shù)資料
型號： STD50N03L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 30V - 9.2mohm - 40A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET
中文描述： N溝道30V的- 9.2mohm - 40A條-的DPAK /像是iPak STripFET商標(biāo)第三功率MOSFET
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代理商： STD50N03L
STD50N03L - STD50N03L-1
Electrical ratings
3/16
1
Electrical ratings
Table 1.
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
DS
Drain-source voltage (V
GS
= 0)
30
V
V
GS
I
D (1)
Gate-source voltage
±20
V
1.
Limited by wire bonding
Drain current (continuous) at T
C
= 25°C
40
A
I
D
Drain current (continuous) at T
C
=100°C
36
A
I
DM (2)
2.
Pulse width limited by safe operating area
Drain current (pulsed)
160
A
P
TOT
Total dissipation at T
C
= 25°C
60
W
Derating factor
0.4
W/°C
E
AS(3)
3.
Starting
T
j
= 25°C,
I
D
=20A, V
DD
=15V
Single pulse avalanche energy
230
mJ
T
J
T
stg
Operating junction temperature
Storage temperature
-55 to 175
°C
Table 2.
Thermal data
Symbol
Parameter
Value
Unit
R
thJ-Case
Thermal resistance junction-case max
2.5
°C/W
R
thJ-Amb
Thermal resistance junction-ambient max
100
°C/W
T
j
Maximum lead temperature for soldering
purpose
275
°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD50N03L-1 N-CHANNEL 30V - 9.2mohm - 40A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET
STD50NH02L-1 N-channel 24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET
STD50NH02LT4 N-channel 24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET
STD50NH02L RSNTR 12.00MHZ 10PF 0.7% CER SMD-3.4X7.4 -40+85C T&R
STD55NH2LL-1 N-channel 24V - 0.010ohm - 40A - DPAK/IPAK Ultra low gate charge STripFET TM Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD50N03L-1 功能描述:MOSFET N-Channel 30V Pwr Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD50NH02L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET
STD50NH02L_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET
STD50NH02L-1 功能描述:MOSFET N-CH 24V 50A I-PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:STripFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
STD50NH02LT4 功能描述:MOSFET N Ch 24V 0.0085 OHM 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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