參數(shù)資料
型號： STD2NB60-1
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 600V - 3.3OHM - 2.6A DPAK/IPAK PowerMESHTM MOSFET
中文描述： N溝道600V的- 3.3OHM - 2.6A的電流的DPAK /像是iPak PowerMESHTM MOSFET的
文件頁數(shù)： 7/11頁
文件大小： 228K
代理商： STD2NB60-1
7/11
STD2NB60/STD2NB60-1
Figure 14. Unclamped Inductive Load Test
Circuit
Figure 15. Unclamped Inductive Waveforms
Figure 16. Switching Times Test Circuits For
Resistive Load
Figure 17. Gate Charge Test Circuit
Figure 18. Test Circuit For Inductive Load
Switching And Diode Recovery Times
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD2NB60 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
STD2NB60T4 N-CHANNEL 600V - 3.3OHM - 2.6A DPAK/IPAK PowerMESHTM MOSFET
STD30NE06L N-Channel 60V-0.025Ω-30A-DPAK STripFETTM ” Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STD30NF03LT N-channel 30V - 0.017ohm - 30A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET
STD30NF03LTT4 N-channel 30V - 0.017ohm - 30A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD2NB60T4 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD2NB80 功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 1.9Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD2NB80-1 功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 1.9Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD2NB80T4 功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 1.9Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD2NC40 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 400V - 4.7ohm - 1.5A IPAK PowerMeshII MOSFET
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