參數(shù)資料
型號： STD2NB60-1
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 600V - 3.3OHM - 2.6A DPAK/IPAK PowerMESHTM MOSFET
中文描述： N溝道600V的- 3.3OHM - 2.6A的電流的DPAK /像是iPak PowerMESHTM MOSFET的
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代理商： STD2NB60-1
STD2NB60/STD2NB60-1
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Table 11. Source Drain Diode
Symbol
Note: 1. Pulse width limited by safe operating area
2. Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
Figure 3. Safe Operating Area
Figure 4. Thermal Impedance
Figure 5. Output Characteristics
Figure 6. Transfer Characteristics
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
Source-drain Current
3.3
A
I
SDM (1)
Source-drain Current
(pulsed)
13.2
A
V
SD
(2)
Forward On Voltage
I
SD
= 3.3 A; V
GS
= 0
1.6
V
t
rr
Reverse Recovery Time
I
SD
= 3.3 A; di/dt = 100 A/
μ
s
V
DD
= 100 V; T
j
= 150 °C
(see test circuit, Figure 18)
500
ns
Q
rr
Reverse RecoveryCharge
2.1
μ
C
I
RRAM
Reverse RecoveryCharge
8.5
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD2NB60 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
STD2NB60T4 N-CHANNEL 600V - 3.3OHM - 2.6A DPAK/IPAK PowerMESHTM MOSFET
STD30NE06L N-Channel 60V-0.025Ω-30A-DPAK STripFETTM ” Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STD30NF03LT N-channel 30V - 0.017ohm - 30A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET
STD30NF03LTT4 N-channel 30V - 0.017ohm - 30A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD2NB60T4 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD2NB80 功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 1.9Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD2NB80-1 功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 1.9Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD2NB80T4 功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 1.9Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD2NC40 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 400V - 4.7ohm - 1.5A IPAK PowerMeshII MOSFET
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