參數(shù)資料
型號(hào)： STD2NB60-1
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 600V - 3.3OHM - 2.6A DPAK/IPAK PowerMESHTM MOSFET
中文描述： N溝道600V的- 3.3OHM - 2.6A的電流的DPAK /像是iPak PowerMESHTM MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 2/11頁(yè)
文件大小： 228K
代理商： STD2NB60-1
STD2NB60/STD2NB60-1
2/11
Table 3. Absolute Maximum Ratings
Symbol
Note: 1. Pulse width limited by safe operating area
2. I
SD
≤
2.6A, di/dt
≤
200 A/
μ
s, V
DD
≤
V(
BR)DSS
, T
j
≤
T
JMAX
Table 4. Thermal Data
Symbol
Table 5. Avalanche Characteristics
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
600
V
V
DGR
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
600
V
V
GS
Gate-source Voltage
± 30
V
I
D
Drain Current (cont.) at T
C
= 25 °C
2.6
A
I
D
Drain Current (cont.) at T
C
= 100 °C
1.6
A
I
DM (1)
Drain Current (pulsed)
10.4
A
P
tot
Total Dissipation at T
C
= 25 °C
50
W
Derating Factor
0.4
W°/C
dv/dt
(2)
Peak Diode Recovery voltage slope
4.5
V/ns
T
stg
Storage Temperature
-65 to 150
°C
T
j
Max. Operating Junction Temperature
150
°C
Parameter
Value
Unit
R
thj-case
Thermal Resistance Junction-case
Max
2.5
°C/W
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
100
°C/W
T
l
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
275
°C
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
2.6
A
E
AS
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25 °C; I
D
= I
AR
; V
DD
= 50 V)
80
mJ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD2NB60 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
STD2NB60T4 N-CHANNEL 600V - 3.3OHM - 2.6A DPAK/IPAK PowerMESHTM MOSFET
STD30NE06L N-Channel 60V-0.025Ω-30A-DPAK STripFETTM ” Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STD30NF03LT N-channel 30V - 0.017ohm - 30A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET
STD30NF03LTT4 N-channel 30V - 0.017ohm - 30A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD2NB60T4 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD2NB80 功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 1.9Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD2NB80-1 功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 1.9Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD2NB80T4 功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 1.9Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD2NC40 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 400V - 4.7ohm - 1.5A IPAK PowerMeshII MOSFET
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