參數(shù)資料
型號(hào)： STD29NF03L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 30V - 0.018 ohm - 29A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
中文描述： N溝道30V的- 0.018歐姆-第29A條的DPAK低柵極電荷STripFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
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代理商： STD29NF03L
Fig. 1:
UnclampedInductiveLoad Test Circuit
Fig. 3:
Switching Times Test CircuitsFor
ResistiveLoad
Fig. 2:
UnclampedInductiveWaveform
Fig. 4:
Gate Chargetest Circuit
Fig. 5:
Test Circuit For InductiveLoad Switching
And Diode Recovery Times
STD29NF03L
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD2NB60-1 N-CHANNEL 600V - 3.3OHM - 2.6A DPAK/IPAK PowerMESHTM MOSFET
STD2NB60 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
STD2NB60T4 N-CHANNEL 600V - 3.3OHM - 2.6A DPAK/IPAK PowerMESHTM MOSFET
STD30NE06L N-Channel 60V-0.025Ω-30A-DPAK STripFETTM ” Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STD30NF03LT N-channel 30V - 0.017ohm - 30A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD29NF03L-1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 29A I(D) | TO-251AA
STD29NF03LT4 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 29 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD2HNK60Z 功能描述:MOSFET N Ch 600V Zener SuprMESH 4.4 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD2HNK60Z-1 功能描述:MOSFET N-Ch, 600V-4.4ohms Zener SuperMESH 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD2LN60K3 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 4ohm 2A SuperMESH3 FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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