參數(shù)資料
型號： STD29NF03L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 30V - 0.018 ohm - 29A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
中文描述： N溝道30V的- 0.018歐姆-第29A條的DPAK低柵極電荷STripFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/6頁
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代理商： STD29NF03L
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
T
l
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Max
3.33
62.5
300
o
C/W
o
C/W
o
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwisespecified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 0
30
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating
V
GS
=
±
20 V
T
c
=125
o
C
1
10
μ
A
μ
A
nA
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
±
100
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
1
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
I
D
= 15 A
I
D
= 9 A
0.018
0.029
0.023
0.038
A
I
D(on)
On State Drain Current
29
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
(
)
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
=15 A
20
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V
f = 1 MHz
V
GS
= 0
750
270
60
pF
pF
pF
STD29NF03L
2/6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD2NB60-1 N-CHANNEL 600V - 3.3OHM - 2.6A DPAK/IPAK PowerMESHTM MOSFET
STD2NB60 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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STD29NF03LT4 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 29 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD2HNK60Z 功能描述:MOSFET N Ch 600V Zener SuprMESH 4.4 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD2HNK60Z-1 功能描述:MOSFET N-Ch, 600V-4.4ohms Zener SuperMESH 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD2LN60K3 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 4ohm 2A SuperMESH3 FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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