參數(shù)資料
型號(hào)： STD1HNC60
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 600V - 4ohm - 2A - IPAK/DPAK PowerMesh⑩II MOSFET
中文描述： N溝道600V的- 4Ω -甲-像是iPak / DPAK封裝MOSFET的第二PowerMesh⑩
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
文件大小： 268K
代理商： STD1HNC60
STD1HNC60
4/9
Gate Charge vs Gate-source Voltage
Transconductance
Static Drain-source On Resistance
Transfer Characteristics
Output Characteristics
Capacitance Variations
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD1LNC60-1 N-CHANNEL 600V 12 OHM 1A DPAK/IPAK POWERMESH II MOSFET
STD1LNC60 N-CHANNEL 600V - 12ohm - 1A - IPAK/DPAK PowerMESH⑩II MOSFET
STD1NA60 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STD1NB50-1 TRANSISTOR MOSFET D-PAK
STD1NK80Z N-CHANNEL 800V - 13 ヘ - 1 A TO-92 /SOT-223/DPAK/IPAK Zener - Protected SuperMESH⑩ MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD1HNC60-1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V 4 OHM 2A DPAK/IPAK POWERMESH II MOSFET
STD1HNC60T4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2A DPAK RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:PowerMESH™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
STD1LNC60 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V - 12ohm - 1A - IPAK/DPAK PowerMESH⑩II MOSFET
STD1LNC60-1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V 12 OHM 1A DPAK/IPAK POWERMESH II MOSFET
STD1LNK60Z-1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V - 13Ω - 0.8A - TO-92 - TO-251 - SOT-223 Zener-Protected SuperMESH? Power MOSFET
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*