參數(shù)資料
型號(hào)： STD1HNC60
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 600V - 4ohm - 2A - IPAK/DPAK PowerMesh⑩II MOSFET
中文描述： N溝道600V的- 4Ω -甲-像是iPak / DPAK封裝MOSFET的第二PowerMesh⑩
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
文件大小： 268K
代理商： STD1HNC60
STD1HNC60
2/9
THERMAL DATA
Rthj-case
Rthj-amb
Rthj-sink
T
l
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
E
AS
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25 °C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TCASE
= 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125 °C
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
ON
(1)
Symbol
V
GS(th)
R
DS(on)
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(1)
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
Thermal Resistance case-sink Typ
2.5
100
1.5
°C/W
°C/W
°C/W
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
275
°C
Parameter
Max Value
2
Unit
A
120
mJ
Test Conditions
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
Min.
600
Typ.
Max.
Unit
V
V
DS
= Max Rating
1
μA
50
μA
V
GS
= ±30V
±100
nA
Parameter
Test Conditions
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V, I
D
= 1 A
Min.
Typ.
Max.
Unit
Gate Threshold Voltage
2
3
4
V
Static Drain-source On
Resistance
4
5
I
D(on)
On State Drain Current
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max,
V
GS
= 10V
2
A
Parameter
Test Conditions
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max,
I
D
= 1A
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
Min.
Typ.
2
Max.
Unit
S
Forward Transconductance
C
iss
C
oss
Input Capacitance
228
pF
Output Capacitance
40
pF
C
rss
Reverse Transfer
Capacitance
6
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD1LNC60-1 N-CHANNEL 600V 12 OHM 1A DPAK/IPAK POWERMESH II MOSFET
STD1LNC60 N-CHANNEL 600V - 12ohm - 1A - IPAK/DPAK PowerMESH⑩II MOSFET
STD1NA60 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STD1NB50-1 TRANSISTOR MOSFET D-PAK
STD1NK80Z N-CHANNEL 800V - 13 ヘ - 1 A TO-92 /SOT-223/DPAK/IPAK Zener - Protected SuperMESH⑩ MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD1HNC60-1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V 4 OHM 2A DPAK/IPAK POWERMESH II MOSFET
STD1HNC60T4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:PowerMESH™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
STD1LNC60 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V - 12ohm - 1A - IPAK/DPAK PowerMESH⑩II MOSFET
STD1LNC60-1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V 12 OHM 1A DPAK/IPAK POWERMESH II MOSFET
STD1LNK60Z-1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V - 13Ω - 0.8A - TO-92 - TO-251 - SOT-223 Zener-Protected SuperMESH? Power MOSFET
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