參數(shù)資料
型號(hào)： STD1HNC60
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 600V - 4ohm - 2A - IPAK/DPAK PowerMesh⑩II MOSFET
中文描述： N溝道600V的- 4Ω -甲-像是iPak / DPAK封裝MOSFET的第二PowerMesh⑩
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 268K
代理商： STD1HNC60
3/9
STD1HNC60
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
SWITCHING ON
Symbol
t
d(on)
t
r
SWITCHING OFF
Symbol
t
r(Voff)
t
f
t
c
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
Note: 1.
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by safe operating area.
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 300V, I
D
= 1 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 3)
V
DD
= 480V, I
D
= 2 A,
V
GS
= 10V
Min.
Typ.
9
8.5
Max.
Unit
ns
ns
Turn-on Delay Time
Rise Time
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
11.3
2.8
5
15.5
nC
nC
nC
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 480V, I
D
= 2 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 5)
Min.
Typ.
Max.
Unit
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
18
9
27
ns
ns
ns
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Source-drain Current
2
A
Source-drain Current (pulsed)
8
A
Forward On Voltage
I
SD
= 2 A, V
GS
= 0
I
SD
= 2A, di/dt = 100A/μs, V
DD
= 100V, Tj = 150°C
(see test circuit, Figure 5)
1.6
V
Reverse Recovery Time
480
ns
Reverse Recovery Charge
1032
nC
Reverse Recovery Current
4.3
A
Safe Operating Area
Thermal Impedence
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD1LNC60-1 N-CHANNEL 600V 12 OHM 1A DPAK/IPAK POWERMESH II MOSFET
STD1LNC60 N-CHANNEL 600V - 12ohm - 1A - IPAK/DPAK PowerMESH⑩II MOSFET
STD1NA60 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STD1NB50-1 TRANSISTOR MOSFET D-PAK
STD1NK80Z N-CHANNEL 800V - 13 ヘ - 1 A TO-92 /SOT-223/DPAK/IPAK Zener - Protected SuperMESH⑩ MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD1HNC60-1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V 4 OHM 2A DPAK/IPAK POWERMESH II MOSFET
STD1HNC60T4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:PowerMESH™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
STD1LNC60 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V - 12ohm - 1A - IPAK/DPAK PowerMESH⑩II MOSFET
STD1LNC60-1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V 12 OHM 1A DPAK/IPAK POWERMESH II MOSFET
STD1LNK60Z-1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V - 13Ω - 0.8A - TO-92 - TO-251 - SOT-223 Zener-Protected SuperMESH? Power MOSFET
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*