參數(shù)資料
型號(hào)： STB80NF75L-1
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 75V - 0.008 ohm - 80A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
中文描述： N溝道75V的- 0.008歐姆- 80A條TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET⑩二功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/11頁(yè)
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代理商： STB80NF75L-1
STB80NF75L/-1/ STP80NF75L
2/11
THERMAL DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25 °C unless otherwise specified)
OFF
ON
(*
)
DYNAMIC
Rthj-case
Rthj-amb
T
l
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Max
Typ
0.5
62.5
300
°C/W
°C/W
°C
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
75
V
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating T
C
= 125°C
1
10
μA
μA
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
V
GS
= ± 16V
±100
nA
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
I
D
= 250 μA
1
1.6
2.5
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
V
GS
= 5 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 40 A
I
D
= 40 A
0.01
0.008
0.013
0.010
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs (*)
Forward Transconductance
V
DS
= 25 V
I
D
= 40 A
50
S
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
5000
835
360
pF
pF
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB90NF03L Niobium Oxide Capacitor; Capacitor Type:Low ESR; Voltage Rating:6.3VDC; Capacitor Dielectric Material:Niobium Oxide; Capacitance:68uF; Capacitance Tolerance:+/- 20%; ESR:100mohm; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
STB90NF03 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
STB9NB50 N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
STB9NK60ZD N-CHANNEL 600V - 0.85? - 7A TO-220/TO-220FP/DPAK SuperFREDMesh MOSFET
STB9NK60ZDT4 N-CHANNEL 600V - 0.85? - 7A TO-220/TO-220FP/DPAK SuperFREDMesh MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB80NF75LT4 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB80NS04ZT4 功能描述:MOSFET N-Ch Clamped 80 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB80PF55 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET P-Channel 55V 80A D2PAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:STB80PF55
STB80PF55_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:P-channel 55V - 0.016ヘ - 80A - TO-220 - D2PAK STripFET⑩ II Power MOSFET
STB80PF55_10 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:P-channel 55 V, 0.016 Ω, 80 A TO-220, D2PAK STripFETTM II Power MOSFET
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