參數(shù)資料
型號(hào)： STB60NE06L-16
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel 60V-0.014Ω-60A-D2PAK “SINGLE FEATURE SIZETM” Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
中文描述： N溝道60V的，0.014Ω- 60A型，采用D2PAK“單一的功能SIZETM”功率MOSFET（不適用溝道功率MOSFET的）
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 37K
代理商： STB60NE06L-16
THERMAL DATA
R
thj-case
Rthj-amb
R
thc-sink
T
l
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Thermal Resistance Case-sink
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Max
Typ
1
62.5
0.5
300
o
C/W
oC/W
C/W
o
C
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
o
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 25 V)
60
A
E
AS
600
mJ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 0
60
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating
T
c
= 125
o
C
1
10
μ
A
μ
A
nA
I
GSS
V
GS
=
±
20 V
±
100
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold
Voltage
Static Drain-source On
Resistance
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
1
1.6
2.5
V
R
DS(on)
V
GS
= 5 V
V
GS
= 10V
I
D
= 30 A
I
D
= 30 A
0.014
0.012
0.016
0.014
I
D(on)
On State Drain Current
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
60
A
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
(
)
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
=30 A
22
23
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V
f = 1 MHz
V
GS
= 0
3200
950
320
4600
1400
480
pF
pF
pF
STB60NE06L-16
2/5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB60NF03L N-CHANNEL 30V - 0.008 ohm - 60A D2PAK STripFET POWER MOSFET
STB60NF06L N-CHANNEL 60V - 0.012 OHM - 60A TO-220/TO-220FP/D2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
STP60NF06L N-CHANNEL 60V - 0.012 OHM - 60A TO-220/TO-220FP/D2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
STP60NF06LFP N-CHANNEL 60V - 0.012 OHM - 60A TO-220/TO-220FP/D2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
STB60NH02L N-CHANNEL 24V - 0.0085 ohm - 60A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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STB60NF03L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 30V - 0.008 ohm - 60A D2PAK STripFET POWER MOSFET
STB60NF06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-channel 60V - 0.014ヘ - 60A - D2PAK/I2PAK STripFET⑩ II Power MOSFET
STB60NF06_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-channel 60V - 0.014ヘ - 60A - D2PAK/I2PAK STripFET⑩ II Power MOSFET
STB60NF06-1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-channel 60V - 0.014ヘ - 60A - D2PAK/I2PAK STripFET⑩ II Power MOSFET
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