參數(shù)資料
型號(hào)： STB25NM60N-1
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
中文描述： N溝道600V的0.140 - 20A型TO-220/FP/DAK/TO-247 MOSFET的第二代MDmesh
文件頁(yè)數(shù)： 8/12頁(yè)
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代理商： STB25NM60N-1
STP25NM60N - STF25NM60N - STB25NM60N/-1 - STW25NM60N
8/12
DIM.
mm.
TYP
inch
TYP.
MIN.
4.85
2.20
1.0
2.0
3.0
0.40
19.85
15.45
MAX.
5.15
2.60
1.40
2.40
3.40
0.80
20.15
15.75
MIN.
0.19
0.086
0.039
0.079
0.118
0.015
0.781
0.608
MAX.
0.20
0.102
0.055
0.094
0.134
0.03
0.793
0.620
A
A1
b
b1
b2
c
D
E
e
L
L1
L2
P
R
S
5.45
0.214
14.20
3.70
14.80
4.30
0.560
0.14
0.582
0.17
18.50
0.728
3.55
4.50
3.65
5.50
0.140
0.177
0.143
0.216
5.50
0.216
TO-247 MECHANICAL DATA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STF25NM60N N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STP25NM60N N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STW25NM60N N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STB30NF10 N-CHANNEL 100V - 0.038 ohm - 35A TO-220/TO-220FP/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET
STB3015LT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB25NM60ND 功能描述:MOSFET N-channel 600V, 21A FDMesh II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB25NM60NT4 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
STB25NM60NX 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600 V, 0.130 Ω , 21 A, MDmesh? II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247
STB26N60M2 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 20A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:34nC @ 10V Vgs（最大值）:±25V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1360pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:169W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:165 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STB26NM60N 功能描述:MOSFET POWER MOSFET N-CH 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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