參數(shù)資料
型號(hào)： STB25NM60N-1
廠(chǎng)商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
中文描述： N溝道600V的0.140 - 20A型TO-220/FP/DAK/TO-247 MOSFET的第二代MDmesh
文件頁(yè)數(shù)： 3/12頁(yè)
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代理商： STB25NM60N-1
3/12
STP25NM60N - STF25NM60N - STB25NM60N/-1 - STW25NM60N
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (CONTINUED)
Table 7: Dynamic
Symbol
Parameter
g
fs
(1)
Forward Transconductance
C
iss
C
oss
C
rss
Reverse Transfer
Capacitance
C
OSS eq
(3)
.
Equivalent Output
Capacitance
R
G
Gate Input Resistance
Table 8: Source Drain Diode
Symbol
I
SD
I
SDM
(2)
Source-drain Current (pulsed)
V
SD
(1)
Forward On Voltage
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery Current
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery Current
(1) Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
(2) Pulse width limited by safe operating area.
(3) C
oss eq.
is defined as a constant equivalent capacitance giving the same charging time as C
oss
when V
DS
increases from 0 to 80% V
DSS
.
Test Conditions
V
DS
= 15V
,
I
D
= 10A
V
DS
= 25 V, f = 1 MHz,
V
GS
= 0
Min.
Typ.
17
Max.
Unit
S
Input Capacitance
Output Capacitance
2565
511
77
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 0 to 480 V
TBD
pF
f=1 MHz Gate DC Bias = 0
Test Signal Level = 20mV
Open Drain
V
DD
= 300 V, I
D
= 10 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
(see Figure 4)
2
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off-Delay Time
Fall Time
TBD
TBD
TBD
TBD
ns
ns
ns
ns
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
= 480 V, I
D
= 20 A,
V
GS
= 10 V
(see Figure 7)
93
TBD
TBD
nC
nC
nC
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
20
80
Unit
A
A
Source-drain Current
I
SD
= 20 A, V
GS
= 0
I
SD
= 25 A, di/dt = 100 A/μs
V
DD
= 100V
(see Figure 5)
1.3
V
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
TBD
TBD
TBD
ns
μC
A
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
I
SD
= 25 A, di/dt = 100 A/μs
V
DD
= 100V, T
j
= 150
°
C
(see Figure 5)
TBD
TBD
TBD
ns
μC
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STF25NM60N N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STP25NM60N N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STW25NM60N N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STB30NF10 N-CHANNEL 100V - 0.038 ohm - 35A TO-220/TO-220FP/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET
STB3015LT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB25NM60ND 功能描述:MOSFET N-channel 600V, 21A FDMesh II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB25NM60NT4 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
STB25NM60NX 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600 V, 0.130 Ω , 21 A, MDmesh? II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247
STB26N60M2 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 20A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:34nC @ 10V Vgs（最大值）:±25V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1360pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:169W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:165 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線(xiàn) + 接片），TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STB26NM60N 功能描述:MOSFET POWER MOSFET N-CH 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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