參數(shù)資料
型號(hào)： STB25NM60N-1
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
中文描述： N溝道600V的0.140 - 20A型TO-220/FP/DAK/TO-247 MOSFET的第二代MDmesh
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
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代理商： STB25NM60N-1
STP25NM60N - STF25NM60N - STB25NM60N/-1 - STW25NM60N
6/12
L2
A
B
D
E
H
G
L6
F
L3
G
1 2 3
F
F
L7
L4
L5
DIM.
mm.
TYP
inch
TYP.
MIN.
4.4
2.5
2.5
0.45
0.75
1.15
1.15
4.95
2.4
10
MAX.
4.6
2.7
2.75
0.7
1
1.7
1.7
5.2
2.7
10.4
MIN.
0.173
0.098
0.098
0.017
0.030
0.045
0.045
0.195
0.094
0.393
MAX.
0.181
0.106
0.108
0.027
0.039
0.067
0.067
0.204
0.106
0.409
A
B
D
E
F
F1
F2
G
G1
H
L2
L3
L4
L5
L6
L7
16
0.630
28.6
9.8
2.9
15.9
9
3
30.6
10.6
3.6
16.4
9.3
3.2
1.126
.0385
0.114
0.626
0.354
0.118
1.204
0.417
0.141
0.645
0.366
0.126
TO-220FP MECHANICAL DATA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STF25NM60N N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STP25NM60N N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STW25NM60N N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STB30NF10 N-CHANNEL 100V - 0.038 ohm - 35A TO-220/TO-220FP/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET
STB3015LT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB25NM60ND 功能描述:MOSFET N-channel 600V, 21A FDMesh II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB25NM60NT4 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
STB25NM60NX 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600 V, 0.130 Ω , 21 A, MDmesh? II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247
STB26N60M2 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 20A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:34nC @ 10V Vgs（最大值）:±25V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1360pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:169W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:165 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STB26NM60N 功能描述:MOSFET POWER MOSFET N-CH 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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