參數(shù)資料
型號: STB160NF03L
廠商: 意法半導體
英文描述: N-CHANNEL 30V - 0.0021ohm - 160A D2PAK STripFET⑩ POWER MOSFET
中文描述: N溝道30V的- 0.0021ohm - 160A章采用D2PAK STripFET⑩功率MOSFET
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代理商: STB160NF03L
STB160NF03L
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Capacitance Variations
Gate Charge vs Gate-source Voltage
Output Characteristics
Tranconductance
Tranfer Characteristics
Static Drain-Source On Resistance
相關PDF資料
PDF描述
STB16PF06L P-CHANNEL 60V - 0.11ohm - 16A D2PAK STripFET MOSFET
STB16PF06LT4 P-CHANNEL 60V - 0.11ohm - 16A D2PAK STripFET MOSFET
STB18N20 N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強模式功率MOS晶體管)
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STB190NF04T4 N-channel 40V - 0.0039ohm - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET TM III Power MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STB160NF03LT4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 160A I(D) | TO-263AB
STB160NF3LL 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 30V - 0.0026 ohm - 160A D2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
STB160NF3LL_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 30V - 0.0028ohm - 160A - D2PAK STripFET TM III Power MOSFET
STB160NF3LLT4 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 160 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB16N65M5 功能描述:MOSFET N-Ch MDMesh V 650V 0.270 Ohm 12A D2PAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube