參數資料
型號： STB160NF03L
廠商： 意法半導體
英文描述： N-CHANNEL 30V - 0.0021ohm - 160A D2PAK STripFET⑩ POWER MOSFET
中文描述： N溝道30V的- 0.0021ohm - 160A章采用D2PAK STripFET⑩功率MOSFET
文件頁數： 2/9頁
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代理商： STB160NF03L
STB160NF03L
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THERMAL DATA
Rthj-case
Rthj-amb
T
l
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TCASE
= 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125 °C
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
ON
(1)
Symbol
V
GS(th)
R
DS(on)
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(1)
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
0.5
62.5
°C/W
°C/W
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
300
°C
Test Conditions
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
Min.
30
Typ.
Max.
Unit
V
V
DS
= Max Rating
1
μA
10
μA
V
GS
= ±15V
±100
nA
Parameter
Test Conditions
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10 V, I
D
= 80 A
V
GS
= 5 V, I
D
= 80 A
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max,
V
GS
= 10V
Min.
Typ.
Max.
Unit
Gate Threshold Voltage
1
V
Static Drain-source On
Resistance
0.0021
0.0030
A
0.0042
0.0070
I
D(on)
On State Drain Current
160
Parameter
Test Conditions
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max,
I
D
=80 A
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
Min.
Typ.
210
Max.
Unit
S
Forward Transconductance
C
iss
C
oss
Input Capacitance
5600
pF
Output Capacitance
1720
pF
C
rss
Reverse Transfer
Capacitance
310
pF
相關PDF資料
PDF描述
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