參數(shù)資料
型號(hào)： STB160NF03L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 30V - 0.0021ohm - 160A D2PAK STripFET⑩ POWER MOSFET
中文描述： N溝道30V的- 0.0021ohm - 160A章采用D2PAK STripFET⑩功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大小： 431K
代理商： STB160NF03L
3/9
STB160NF03L
Safe Operating Area
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
SWITCHING ON
Symbol
t
d(on)
SWITCHING OFF
Symbol
t
d(off)
t
f
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
I
SD
I
SDM
(1)
V
SD
(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
Note: 1.
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by safe operating area.
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 15V, I
D
= 80A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 3)
V
DD
= 24V, I
D
= 160A,
V
GS
= 10V
Min.
Typ.
Max.
Unit
Turn-on Delay Time
28
ns
t
r
Rise Time
285
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
123
21
40
nC
nC
nC
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 15V, I
D
= 80A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 5)
Vclamp =24V, I
D
=40A
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10V
Min.
Typ.
110
65
Max.
Unit
ns
ns
Turn-off-Delay Time
Fall Time
t
d(off)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
110
35
70
ns
ns
ns
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Source-drain Current
160
A
Source-drain Current (pulsed)
640
A
Forward On Voltage
I
SD
= 160A, V
GS
= 0
1.3
V
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
I
SD
= 80A, di/dt = 100A/μs,
V
DD
= 15V, T
j
= 25°C
(see test circuit, Figure 5)
80
180
4.5
ns
nC
A
Thermal Impedance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB16PF06L P-CHANNEL 60V - 0.11ohm - 16A D2PAK STripFET MOSFET
STB16PF06LT4 P-CHANNEL 60V - 0.11ohm - 16A D2PAK STripFET MOSFET
STB18N20 N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強(qiáng)模式功率MOS晶體管)
STB190NF04-1 N-channel 40V - 0.0039ohm - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET TM III Power MOSFET
STB190NF04T4 N-channel 40V - 0.0039ohm - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET TM III Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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