參數(shù)資料
型號(hào)： STB12NM60N
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-channel 600V - 0.35ヘ - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
中文描述： N溝道600V的- 0.35ヘ- 10A條- D2/I2PAK - TO-220/FP -到247⑩第二代MDmesh功率MOSFET
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代理商： STB12NM60N
STB12NM60N/-1 - STF12NM60N - STP12NM60N - STW12NM60N
Electrical characteristics
5/18
Table 6.
Switching times
Symbol
Parameter
Test conditions
Min
Typ
Max
Unit
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
V
DD
= 300V, I
D
= 5A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10V
(see Figure 17)
15
9
60
10
ns
ns
ns
ns
Table 7.
Source drain diode
Symbol
Parameter
Test conditions
Min
Typ
Max
Unit
I
SD
I
SDM (1)
V
SD(2)
1.
Pulse width limited by safe operating area
Source-drain current
Source-drain current (pulsed)
10
40
A
A
2.
Pulsed: pulse duration = 300μs, duty cycle 1.5%
Forward on voltage
I
SD
= 10A, V
GS
=0
1.3
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Reverse recovery current
I
SD
=10A, di/dt =100A/μs,
V
DD
= 100V, Tj = 25°C
(see Figure 19)
360
3.5
20
ns
μC
A
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Reverse recovery current
V
DD
= 100V
di/dt =100A/μs, I
SD
= 10A
Tj = 150°C
(see Figure 19)
530
5.20
20
ns
μC
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB12NM60N-1 N-channel 600V - 0.35ヘ - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
STP12NM60N N-channel 600V - 0.35ヘ - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
STB14NK50Z N-CHANNEL 500V-0.34ohm-14ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
STB14NK50Z-1 Brilliance Bundled Coaxial Cable, Banana Peel; Coaxial RG/U Type:59; Impedance:75ohm; Conductor Size AWG:20; No. Strands x Strand Size:Solid; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
STP14NK50ZFP N-CHANNEL 500V-0.34ohm-14ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
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參數(shù)描述
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STB13005 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:High voltage fast-switching NPN power transistor
STB13005_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:High voltage fast-switching NPN power transistor
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STB13007DT4 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN power transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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