參數(shù)資料
型號： STB12NM60N
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-channel 600V - 0.35ヘ - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
中文描述： N溝道600V的- 0.35ヘ- 10A條- D2/I2PAK - TO-220/FP -到247⑩第二代MDmesh功率MOSFET
文件頁數(shù)： 14/18頁
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代理商： STB12NM60N
Package mechanical data
STB12NM60N/-1 - STF12NM60N - STP12NM60N - STW12NM60N
14/18
TO-247 MECHANICAL DATA
1
DIM.
mm.
inch
MIN.
TYP
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
4.4
4.6
0.173
0.181
A1
2.49
2.69
0.098
0.106
A2
0.03
0.23
0.001
0.009
B
0.7
0.93
0.027
0.036
B2
1.14
1.7
0.044
0.067
C
0.45
0.6
0.017
0.023
C2
1.23
1.36
0.048
0.053
D
8.95
9.35
0.352
0.368
D1
8
0.315
E
10
10.4
0.393
E1
8.5
0.334
G
4.88
5.28
0.192
0.208
L
15
15.85
0.590
0.625
L2
1.27
1.4
0.050
0.055
L3
1.4
1.75
0.055
0.068
M
2.4
3.2
0.094
0.126
R
0.4
0.015
V2
0o
4o
D
2
PAK MECHANICAL DATA
3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB12NM60N-1 N-channel 600V - 0.35ヘ - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
STP12NM60N N-channel 600V - 0.35ヘ - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
STB14NK50Z N-CHANNEL 500V-0.34ohm-14ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
STB14NK50Z-1 Brilliance Bundled Coaxial Cable, Banana Peel; Coaxial RG/U Type:59; Impedance:75ohm; Conductor Size AWG:20; No. Strands x Strand Size:Solid; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
STP14NK50ZFP N-CHANNEL 500V-0.34ohm-14ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
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參數(shù)描述
STB12NM60N-1 功能描述:MOSFET N Ch 1500V 2.5A Hi Vltg Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB13005 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:High voltage fast-switching NPN power transistor
STB13005_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:High voltage fast-switching NPN power transistor
STB13005-1 功能描述:兩極晶體管 - BJT H/V FST SWCH PW TRNS NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
STB13007DT4 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN power transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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