參數(shù)資料
型號(hào)： STB11NM60FD
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-channel 30V - 0.014ohm - 45A TO-220 - TO-220FP - D2PAK STripFET II power MOSFET
中文描述： N溝道30V的- 0.014ohm - 45A條至220 -到220FP -采用D2PAK STripFET二功率MOSFET
文件頁數(shù)： 5/16頁
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代理商： STB11NM60FD
STP45NF3LL - STB45NF3LL
Electrical characteristics
5/16
Table 6.
Source drain diode
Symbol
Parameter
Test conditions
Min
Typ.
Max
Unit
I
SD
Source-drain current
45
A
I
SDM (1)
V
SD (2)
1.
Pulse width limited by safe operating area.
Source-drain current (pulsed)
180
A
2.
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %
Forward on voltage
I
SD
= 45A, V
GS
= 0
1.3
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Reverse recovery current
I
SD
= 45A, V
DD
= 15V
di/dt = 100A/μs,
(see Figure 17)
35
44
2.5
ns
nC
A
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PDF描述
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參數(shù)描述
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