參數(shù)資料
型號(hào)： STB11NM60FD
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-channel 30V - 0.014ohm - 45A TO-220 - TO-220FP - D2PAK STripFET II power MOSFET
中文描述： N溝道30V的- 0.014ohm - 45A條至220 -到220FP -采用D2PAK STripFET二功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/16頁
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代理商： STB11NM60FD
STP45NF3LL - STB45NF3LL
Electrical ratings
3/16
1
Electrical ratings
Table 1.
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Value
Unit
TO-220/
D2PAK/I2PAK
TO-220FP
V
DS
Drain-source voltage (v
gs
= 0)
Drain-gate voltage (R
GS
= 20 k
)
30
V
V
DGR
30
V
V
GS
Gate- source voltage
±16
V
I
D
Drain current (continuos) at T
C
= 25°C
45
27
A
I
D
Drain current (continuos) at T
C
= 100°C
32
19
A
I
DM (1)
1.
Pulse width limited by safe operating area
Drain current (pulsed)
180
108
A
P
TOT
Total dissipation at T
C
= 25°C
70
25
W
Derating factor
0.46
0.167
W/°C
E
AS
(2)
2.
Starting T
j
= 25°C, I
D
= 22.5A, V
DD
= 24V
Single pulse avalanche energy
241
mj
V
ISO
Insulation winthstand voltage (dc)
--
2500
V
T
stg
Storage temperature
– 55 to 175
°C
T
j
Max. operating junction temperature
Table 2.
Thermal data
Symbol
Parameter
Value
Unit
TO-220
D2PAK
TO-220FP
R
thj-case
Thermal resistance junction-case Max
2.14
6
°C/W
R
thj-a
Thermal resistance junction-ambient Max
62.5
°C/W
T
l
Maximum lead temperature for soldering
purpose
300
°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB12NM60N N-channel 600V - 0.35ヘ - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
STB12NM60N-1 N-channel 600V - 0.35ヘ - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
STP12NM60N N-channel 600V - 0.35ヘ - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
STB14NK50Z N-CHANNEL 500V-0.34ohm-14ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
STB14NK50Z-1 Brilliance Bundled Coaxial Cable, Banana Peel; Coaxial RG/U Type:59; Impedance:75ohm; Conductor Size AWG:20; No. Strands x Strand Size:Solid; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
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參數(shù)描述
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STB11NM60T4 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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