參數資料
型號: START420
廠商: 意法半導體
英文描述: NPN Silicon RF Transistor
中文描述: NPN硅射頻晶體管
文件頁數: 4/7頁
文件大?。?/td> 69K
代理商: START420
START420
4/7
COMMON EMITTER S-PARAMETERS
( V
CE
= 2V, I
C
= 20mA )
FREQ
(MHz)
0.1
0.5
0.9
1
1.5
1.8
2
2.5
3
3.5
4
IS
11
I
IS
21
I
IS
12
I
S
12
∠Φ
IS
22
I
S
22
∠Φ
0.700
0.545
0.480
0.476
0.484
0.494
0.503
0.513
0.533
0.552
0.559
-22
-90
-130
-137
-167
180
172
158
148
140
134
42.223
27.116
18.322
16.756
11.532
9.528
8.390
6.364
4.936
4.546
3.873
164
120
98
94
77
68
63
54
46
37
28
0.010
0.027
0.036
0.038
0.048
0.052
0.055
0.061
0.069
0.077
0.085
89
58
48
47
42
39
37
32
27
21
14
0.932
0.632
0.421
0.387
0.263
0.210
0.183
0.148
0.143
0.153
0.154
-12
-51
-71
-75
-96
-111
-123
-154
-171
178
163
S
11
∠Φ
S
21
∠Φ
相關PDF資料
PDF描述
START420TR NPN Silicon RF Transistor
START450 NPN Silicon RF Transistor
START450TR NPN Silicon RF Transistor
STB100NH02L N-CHANNEL 24V - 0.0052ohm - 60A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET
STB11NM60FDT4 N-CHANNEL 600V - 0.40ohm - 11A TO-220 / TO-220FP/I2PAK FDmesh?Power MOSFET with FAST DIODE
相關代理商/技術參數
參數描述
START420TR 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
START450 制造商:STMicroelectronics 功能描述:RF TRANSISTOR NPN
START450TR 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
START499 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR RF NPN
START499D 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF TRANSISTOR 29dBm 14dBgain 900mz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel