參數(shù)資料
型號： START420
廠商： 意法半導體
英文描述： NPN Silicon RF Transistor
中文描述： NPN硅射頻晶體管
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大?。?/td> 69K
代理商： START420
START420
2/7
SOT343
4
1
2
3
Top view
Note(1): Gms = | S
21
/ S
12
|
Symbol
I
cbo
Parameter
Test Conditions
Vcb = 5V, Ie = 0A
Min.
Typ.
Max.
150
Unit
nA
Collector cutoff current
Emitter-base cutoff
current
DC current gain
I
ebo
Veb = 1.5V, Ic = 0A
15
μ
A
Hfe
Ic = 20mA, Vce = 3V
Ic = 5mA, Vce = 2V, f = 1.8GHz,
Z
s
= Z
s
opt
Ic = 5mA, Vce = 2V, f = 1.8GHz
Ic = 20mA, Vce = 2V, f = 1.8GHz
100
150
NFmin
Minimim noise figure
1.05
dB
Ga
NFmin associated gain
Insertion power gain
16
19.5
dB
dB
|S21|
2
Gms
(1)
P
-1dB
Maximum stable gain
Ic = 20mA, Vce = 2V, f = 1.8GHz
22.6
dB
1dB compression point
Ouput third order
intercept point
Ic = 20mA,Vce = 2V, f = 1.8GHz
12.5
dBm
OIP3
Ic = 20mA,Vce = 2V, f = 1.8GHz
23
dBm
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
j
=25
o
C,unless otherwise specified)
PINOUT
PIN CONNECTION
Pin No.
Description
1
BASE
3
COLLECTOR
2,4
EMITTER
相關PDF資料
PDF描述
START420TR NPN Silicon RF Transistor
START450 NPN Silicon RF Transistor
START450TR NPN Silicon RF Transistor
STB100NH02L N-CHANNEL 24V - 0.0052ohm - 60A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET
STB11NM60FDT4 N-CHANNEL 600V - 0.40ohm - 11A TO-220 / TO-220FP/I2PAK FDmesh?Power MOSFET with FAST DIODE
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
START420TR 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
START450 制造商:STMicroelectronics 功能描述:RF TRANSISTOR NPN
START450TR 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
START499 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR RF NPN
START499D 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF TRANSISTOR 29dBm 14dBgain 900mz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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