參數(shù)資料
型號(hào)： START420
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： NPN Silicon RF Transistor
中文描述： NPN硅射頻晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/7頁(yè)
文件大?。?/td> 69K
代理商： START420
3/7
START420
Symbol
TMEAS
IS
ISE
NR
ISC
Value
27.0
1.00E-16
1.58E-11
1
1.55E-15
Symbol
FC
EG
NF
NE
BR
Value
0.66
1.12
1
3.1
9.52
Symbol
XJBC
XTI
BF
VAF
VAR
Value
0.53
3.76
280
70
2.3
IKF
{0.217*((T(
o
C)+273.15)/
300.15)^(-1.63)}
7E-10
9.84
12.86
3.7
421E-15
160E-15
112E-15
NC
1.495
TF
3.0E-12
TR
XTF
RB
RC
CJE
CJC
CJS
PTF
ITF
RBM
RE
VJE
VJC
VJS
32.0
0.498
5
0.42
1.03
0.6
0.4
VTF
MJE
MJC
MJS
IKR
XTB
27.9
0.497
0.292
0.245
8.32E-3
-0.54
SPICE PARAMETERS (Gummel-Poon Model, Berkley-SPICE 2G.6 Syntax)
PACKAGE EQUIVALENT CIRCUIT
TRANSISTOR CHIP DATA
C
Transistor
Chip
B’
C’
E’
L=0.3 nH
L=0.6 nH
L3
L5
L6
C2
C=66 fF
.
.
L=0.35 nH
L1
L=0.1 nH
L=0.05 nH
L2
C=334 fF
C=436 fF
C1
C3
E
.
.
L=0.6 nH
L4
B
.
.
FOR MORE ACCURACY SIMULATION IN SATURATION REGION :
Adding the 5 Spice parameters showed in Table A and using
ST Spice Library
(available on request) you
can achieve a more accuracy simulation in the saturation region. ST Spice library is compatible with
following simulators: ELDO MENTOR (any version), SPECTRE CADENCE (any version), ADS (version
2001 only).
Table A (Spice Parameters extracted in saturation region)
RW
Vjj
ENP
VRP
RP
1.173
0.8
2.085
{4.12*((TEMPER+273.15)/300.15)^(0.303)}
1.00E-6
In order to avoid high complexity of the package equivalent circuit, the two emitter leads of SOT-343
package are combined in one electrical connection.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
START420TR NPN Silicon RF Transistor
START450 NPN Silicon RF Transistor
START450TR NPN Silicon RF Transistor
STB100NH02L N-CHANNEL 24V - 0.0052ohm - 60A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET
STB11NM60FDT4 N-CHANNEL 600V - 0.40ohm - 11A TO-220 / TO-220FP/I2PAK FDmesh?Power MOSFET with FAST DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
START420TR 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
START450 制造商:STMicroelectronics 功能描述:RF TRANSISTOR NPN
START450TR 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
START499 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR RF NPN
START499D 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN RF TRANSISTOR 29dBm 14dBgain 900mz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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