參數資料
型號： STB100NH02L
廠商： 意法半導體
英文描述： N-CHANNEL 24V - 0.0052ohm - 60A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET
中文描述： N溝道24V的- 0.0052ohm -第60A條?巴基斯坦STripFET⑩三功率MOSFET
文件頁數： 1/11頁
文件大小： 405K
代理商： STB100NH02L
1/11
September 2003
STB100NH02L
N-CHANNEL 24V - 0.0052
- 60A D
2PAK
STripFET III POWER MOSFET
I
TYPICAL R
DS
(on) = 0.0052
@ 10 V
I
TYPICAL R
DS
(on) = 0.007
@ 5 V
I
R
DS(ON)
* Qg INDUSTRY’s BENCHMARK
I
CONDUCTION LOSSES REDUCED
I
SWITCHING LOSSES REDUCED
I
LOW THRESHOLD DEVICE
I
SURFACE-MOUNTING D
2
PAK (TO-263)
POWER PACKAGE IN TUBE (NO SUFFIX) OR
IN TAPE & REEL (SUFFIX “T4”)
DESCRIPTION
The STB100NH02L utilizes the latest advanced design
rules of ST’s proprietary STripFET technology. This is
suitable fot the most demanding DC-DC converter
applications where high efficiency is to be achieved.
APPLICATIONS
I
SPECIFICALLY DESIGNED AND OPTIMISED
FOR HIGH EFFICIENCY DC/DC
CONVERTERS
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
STB100NH02L
24 V
< 0.006
60 A
(2)
1
3
D
2
PAK
TO-263
(Suffix “T4”)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
spike(1)
Drain-source Voltage Rating
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
V
DGR
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
V
GS
Gate- source Voltage
I
D(2)
Drain Current (continuous) at T
C
= 25°C
I
D(2)
Drain Current (continuous) at T
C
= 100°C
I
DM(3)
Drain Current (pulsed)
P
tot
Total Dissipation at T
C
= 25°C
Derating Factor
E
AS (4)
Single Pulse Avalanche Energy
T
stg
Storage Temperature
T
j
Max. Operating Junction Temperature
Parameter
Value
30
24
24
± 20
60
60
240
100
0.67
600
Unit
V
V
V
V
A
A
A
W
W/°C
mJ
-55 to 175
°C
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
相關PDF資料
PDF描述
STB11NM60FDT4 N-CHANNEL 600V - 0.40ohm - 11A TO-220 / TO-220FP/I2PAK FDmesh?Power MOSFET with FAST DIODE
STB11NM60FD-1 N-CHANNEL 600V - 0.40ohm - 11A TO-220 / TO-220FP/I2PAK FDmesh?Power MOSFET with FAST DIODE
STP11NM60FDFP N-CHANNEL 600V - 0.40ohm - 11A TO-220 / TO-220FP/I2PAK FDmesh?Power MOSFET with FAST DIODE
STB11NM60A-1 N-CHANNEL 600V - 0.4ohm - 11A TO-220/TO-220FP/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET
STP11NM60FD N-CHANNEL 600V - 0.40ohm - 11A TO-220 / TO-220FP/I2PAK FDmesh?Power MOSFET with FAST DIODE
相關代理商/技術參數
參數描述
STB100NH02LT4 功能描述:MOSFET N-Ch 24 Volt 60 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB101-0.421-34 制造商:Lyn-Tron Inc 功能描述:
STB101-0.473-31 制造商:Lyn-Tron Inc 功能描述:
STB101-0.525-31 制造商:Lyn-Tron Inc 功能描述:
STB10100CTR 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:- 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:750mV @ 5A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:120μA @ 100V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯系方式

*
*
*